دانلودمقاله کارآموزی مخابرات شهرستان نهاوند

اختصاصی از اینو دیدی دانلودمقاله کارآموزی مخابرات شهرستان نهاوند دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .



مقدمه و تشکر
آشنایی و اهمیت مخابرات
تعریف مخابرات : مخابرات به معنای خبررسانی و رد و بدل کردن هر گونه پیام و علم ارتباط بین نقاط یا مخابره و ارسال پیام و دریافت آن را مخابرات گویند .
تاریخچه ی مخابرات : تکنولوژی مخابرات و الکترونیک در سالهای اخیر با سرعت غیرقابل تصور متحول گردیده و بشر امروز موفق شده است که از سرویس های ارتباطی با کیفیت بهتر، سرعت انتقال بیشتر و هزینه های کمتر استفاده نماید. سیستم تلگراف اولیه بصورت مورس جای خود را به تله تایپ، تلکس و فاکس داده و تلفن های مغناطیسی به تلفن های نیمه خودکار و خودکار و الکترومکانیکی، الکترونیکی و دیجیتالی تبدیل شده، کابل های قطور و مکالمات تلفنی مبدل به فیبر نوری به قطر بسیار کم و کارایی چندین برابر گردیده است، فرستنده گیرنده های بزرگ و پرمصرف و حرارت زا و پارازیت زای لاسپی به صورت فرستنده، گیرنده های کوچک ترانزیستوری و مدارات مجتمع و کم مصرف در آمد. ماهواره ها هم مشکل امواج VHF و بالاتر را حل کرده اند و یک ماهواره می تواند امواج تلویزیونی را دریافت و سطح منطقه ای یا قاره ای پخش نماید .
در این قسمت لازم است از کلیه برادران مخابرات شهرستان نهاوندکه بنده را در یادگیری مطالب جدید یاری فرمودند تشکر و قدردانی کنم .

آشنایی کلی با مکان کارآموزی
محل کارآموزی اینجانب مخابرات شهرستان نهاوندبوده است. که از قسمتهای مختلفی تشکیل شده است، که از آن جمله می توان به بخش باسیم، بخش بیسیم، تعمیرگاه و ….. اشاره نمود. وظیفه کلی این بخشها برقراری ارتباط باسیم و بیسیم در وضعیت عادی، مأموریتها و در هنگام رزم می باشد. برای برقراری امور گفته شده از دستگاههای مختلفی استفاده می شود که به تعدادی از آنان که قابل ذکر بوده اند اشاره شده است
امید است مطالب ارائه شده برای سایر دانشجویان نیز مثمرثمر واقع شود .

قابلیتهای مکانیکی و محیطی مجموعه 32 – TRC
1- سبکی وزن و کمی حجم
2- قابلیت استفاده در کلیه شرایط آب و هوایی
3- مقاوم در برابر ارتعاشات و ضربات مکانیکی
4- مجهز به دستگیره برای سهولت حمل ونقل
5- ساختار کاملاً مدولار
آشنایی با مدولهای مختلف دستگاه
دستگاه 32 – TRC دارای یک ساختار کاملاً مدولار بوده که با آنها آشنا خواهیم شد .
لیست مدولها
1- مدول (L.P.S) LINEAR POWER SUPPLY
2- مدول تغذیه V24 +
3- مدول تغذیه V12 +
4- مدول تغذیه V12 -
5- مدول AUDLO AMP
6- مدول TX – ORDER WIRE
7- مدول MODULATOR
8- مدول TX - TUNER
9- مدول TX - SYNTHESIZER
10- مدول POWER - CONTROLER
11- مدول دوپلکسر
12- مدول RX - TUNER
13- مدول RX - SYNTHESIZER
14- مدول IF - AMP
15- مدول DEMODULATOR
16- مدول RX – ORDER WIRE
17- مدول CPU، PPI،
18- مدول TESTER
19- مدول PANNEL CONTROL

وظایف مدولها
1- مدول L.P.S : این مدول یک رگولاتور خطی است که ولتاژ V24 + رگوله نشده را به ولتاژ V24 + رگوله شده ی خطی تبدیل می کند .
2- مدول تغذیه V24 + : این مدول ولتاژ V24 + رگوله نشده را به روش سوئیچینگ به ولتاژ رگوله شده ی V24 + تبدیل می کند .
3- مدول تغذیه V12 + : این مدول ولتاژ V24 + رگوله نشده را به روش سوئیچینگ به ولتاژ رگوله شده ی V12 + تبدیل می کند .
4- مدول تغذیه V12 - : این مدول ولتاژ V24 + رگوله نشده را به روش سوئیچینگ به ولتاژ رگوله شده ی V12 - تبدیل می کند .
5- مدول AUDLO AMP : این مدول سیگنال صوتی دریافت شده از
RX – ORDER WIER را تقویت نموده و به بلندگو ارسال می کند. ضمناً توسط دورگولاتور خطی ولتاژهای V5 ± را از تغنیه های V12± می سازد .
6- مدول TX – OOW : در این مدول اولاً عمل افزایش کانال را انجام می دهد و ثانیاً در یکی از کانالها سیگنال صوتی را تقویت و بصورت دیجیتال همراه فریم کامل ماکس به مدولاتور ارسال می کند
7- مدول MOD : این مدول اطلاعات دیجیتال را بصورت F . S . K روی فرکانس MHZ70 مدوله کرده و به مدول TX – TVNER ارسال می کند .
8- مدول TX – TVNER : این مدول یک فیلتر (BPF) قابل تنظیم با ولتاژ می باشد که با توجه به فرکانس فرستندگی که توسط مجموعه CPU انتخاب می شود ولتاژ تنظیم به این مدول دارد می شود. ضمناً عمل مخلوط سازی سیگنال مدولاتور (MHZ70) باسیگنال اسیلاتور محلی فرستنده ( سینتی سایزر TX) را انجام می دهد .
9- مدول TX – SYNTH : این مدول یک اسیلاتور پایدار است که طی مخلوط سازی با سیگنال خروجی مدولاتور اطلاعات ارسالی را روی فرکانس فرستندگی منتقل می نماید .
10- مدول POW.CON : این مدول جهت کنترل مقدار توان فرستنده بکار می رود که این توان توسط مدول پنل کنترل قابل انتخاب می باشد. ضمناً مدول POWER AMP را در مقابل توان برگشتی حفاظت می کند .
11- مدول دوپلکسر (DUPLEXER): از این مدول جهت تنظیم فیلترهای مخصوص امواج گیرنده و فرستنده استفاده می شود .
مدول دوپلکسر شامل دو فیلتر برای فراهم آوردن امکان استفاده مشترک از یک آنتن بعنوان فرستنده و گیرنده می باشد و دارای دو رقم انداز (نمراتور) سه رقمی دوار میباشد که هر کدام برای تنظیم یکی از فیلترهای گیرنده و فرستنده می باشد که در شکل با نامهای منتور گیرنده و منتور فرستنده مشخص شده است .
12- مدول RX – TVNER: این مدول یک فیلتر میانگذر قابل تنظیم با ولتاژ است که ولتاژ متناسب با فرکانس گیرنده توسط مجموعه Cpu به RX-TUNER اعمال می شود وفیلتر را در فرکانس گیرندگی تنظیم می نماید. ضمناَ عمل مخلوط سازی سیگنال دریافتی واسیلاتور گیرنده را انجام می دهد.
13- مدول RX-SYNTH : این مدول یک اسیلاتور پایدار است که طی مخلوط سازی با سیگنال دریافتی اطلاعات را به فرکانس میانی (IF) منتقل می نماید .
14- مدول IF AMP : این مدول سیگنال میانی را تقویت نموده و به دمدولاتور
ارسال می کند.
15- مدول DEMOD : این مدول یک دمدولاتور F.S.K است که اطلاعات دیجیتال بازسازی شده را به مدول RX – OW ارسال می کند .
16- مدول RX-OOW : این مدول پس از پردازش اطلاعات دریافتی از دمدولاتور، اطلاعات دیجیتال را به MUX ارسال می کند و همچنین سیگنال صوتی کانال OOW. را بازسازی نموده و به مدول AUDIO-AMP ارسال می کند .
17- مدول مجموعه CPU : این مدول کنترل قسمتهای مختلف رادیو را به عهده دارد .
18- مدول TESTER : این مدول با استفاده از مجموعه CPU قادر است عیوب مختلف رادیو را آشکار نماید .
19- مدول PANNEL CONTROL : اکثر کنترلهای سیستم رادیو از طریق این پنل صورت می پذیرد.
آشنایی با مدولهای مالتی پلکسر 8 MUX-
لیست مدولها
1- مدول تغذیه 48- ولت
2- مدول تغذیه 5 ± ولت
3- مدول Ring Generator
4- مدول RX
5- مدول Time Base
6- مدول TX
7- مدول کانال
- وظایف مدولها
1- مدول تغذیه 48- ولت: این مدول ولتاژ 24 + ولت رگوله نشده را به روش سوئیچینگ به ولتاژ رگوله شده ی V48 - تبدیل می نماید. این ولتاژ جهت تغذیه DC خطوط تلفنی و تهیه سیگنال زنگ استفاده می شود .
2- مدول تغذیه 5 ± ولت :این مدول ولتاژ V24 + رگوله نشده را به روش سوئیچینگ به ولتاژ رگوله V5+ و V5- (دو خروجی) تبدیل می نماید. این دو ولتاژ برای تغذیه قسمتهای دیجیتال دستگاه بکار می رود .
3- مدول Ring Generator : این مدول ولتاژ رگوله 48- را بعنوان ورودی دریافت
می کند و ولتاژ زنگ (Vac 180 قله تا قله) را می سازد .
این مدول علاوه بر عمل فوق کار تست کلی سیستم را نیز انجام داده و با LEDهای موجود روی پنل این برد اپراتور می تواند اشکال دستگاه را پیگیری نماید .
4- مدل RX : این بُرد اطلاعات سریال را از رادیوی2000-WR دریافت می کند و عمل دی مالتی پلکسینگ را روی آن انجام داده و اطلاعات مربوط به هر کانال را برای آن ارسال می نماید تشخیص صحت و عدم صحت اطلاعات همزمانی نیز به عهده این بُرد می باشد .
5- مدول Time Base : این بُرد وظیفه تهیه و تولید کلیه پالسهای ساعت دقیق مورد نیاز در دستگاه را به عهده دارد. وظیفه دیگر این بُرد تثبیت نمودن نرخ ارسال و دریافت اطلاعات دیجیتال می باشد.
6- مدول TX : این بُرد اطلاعات 8کانال را بصورت موازی دریافت کرده وبا روش TDM عمل مالتی پلکسینگ را روی اطلاعات انجام داده و بصورت سریال برای رادیوی2000
-WR ارسال می کند. تهیه و تولید اطلاعات همزمانی نیز جزو وظایف این مدول می باشد.
7- مدول کانال : این بُرد وظیفه نمونه برداری از سیگنال صوتی و تبدیل آن به اطلاعات دیجیتال و تحویل به بُرد TX و همچنین ساخت اطلاعات صوتی از روی اطلاعات دیجیتال دریافتی از بُردRX را دارد .
آشنایی با مدول فن و تغذیه
- فن : وظیفه تهویه هوا را به عهده دارد و در قسمت فوقانی رک اصلی دستگاه
نصب می گردد.
تغذیه ورودی این مدول Vac 220 می باشد.
تغذیه : این مدول وظیفه تبدیل ولتاژ Vac 220 به Vdc 24+ را به عهده دارد.

UNLOCK : در صورتیکه هر کدام از سینتی سایزرها از حالت قفل خارج شوند این LEDها روشن خواهند شد .
5- نشانگر CLOCK UNLOCK : در صورتیکه اطلاعات به ورودی دمدولاتور نرسد و یا بازسازی کلاک (CLOCK Recovery) بصورت صحیح انجام نشود این LED روشن خواهد شد .
6- نشانگر SYNC : چنانکه میزان Error Rate اطلاعات به حدی برسد که بیش از حالت تعریف شده باشد ارتباط قطع و این LED روشن خواهد شد .
7- نشانگر Quality : چنانچه در اطلاعات Error وجود داشته باشد ولی کمتر از میزان تعریف شده باشد ارتباط برقرار است در این LED بصورت نامنظم شروع به چشمک زدن می کند. شایان ذکر است چشمک زدن این LED تاحدودی طبیعی و اپراتور نباید نگران ارتباط رادیویی باشد .
8- نشانگر اعلام تقاضای تماس اپراتور (CALI) :
چشمک زدن این نشانگر به منزله این است که اپراتور مقابل از طریق کانال O.W. قصد تماس با طرف مقابل را دارد .
9- نشانگر اعلام خطا در سیستم (ERROR) :
روشن شدن این نشانگر به منزله این است که خطایی در سیستم اتفاق افتاده است .
10- نشانگر سیگنال (METER) :
این نشانگر در رابطه مستقیم با سلکتور انتخاب وضعیت میتر می باشد. وظیفه نمایش سیگنالهایی که توسط این سلکتور انتخاب می شود را به عهده دارد. این نشانگر برای تنظیم آنتن بسیار مفید است .
11- سلکتور انتخاب وضعیت میتر(METER): این سلکتور دارای چهار وضعیت میباشد .
الف)OFF : در این حالت METER خاموش بوده و هیچ عددی را نشان نمی دهد .
ب)%RCV : در این حالت METER میزان قدرت سیگنالهای دریافتی از سمت مقابل را برحسب درصد نشان خواهد داد. اگر سلکتور را در این وضعیت قرار داده و آنتن را آنقدر بچرخانیم تا عدد نشان داده شده حداکثر شود آنتن در بهترین موقعیت تنظیم شده است .
ج) FOR : در این حالت METER میزان قدرت ارسالی را نشان خواهد داد .
د) REF : در این حالت METER میزان توان بازگشتی فرستنده را نشان خواهد داد .
12- کلید روشن و خاموش (ON/OFF) تقویت کننده قدرت :
از این کلید برای روشن کردن تقویت کننده قدرت استفاده می شود .
توجه: اگر به هر دلیل میزان توان برگشتی نسبت به توان ارسالی زیاد باشد (حدود ) با روشن کردن این کلید توان ارسال نخواهد شد و تقویت کننده قدرت بصورت خودکار خاموش خواهد شد .
13- کلید RESET تقویت کننده قدرت :
از این کلید برای RESET کردن تقویت کننده قدرت استفاده می شود. اگر به هر دلیلی تقویت کننده خاموش شد، پس از رفع اشکال با فشار دادن این کلید تقویت کننده قدرت مجدداً فعال خواهد شد .
14- نشانگر ارسال توان : روشن بودن این نشانگر دلیل بر ارسال توان است .
15- کلید روشن و خاموش (ON/OFF) بلندگوی O.W. :
با روشن کردن این کلید، سیگنال صوتی دریافت شده توسط O.W. از طریق بلندگو
پخش می شود .
16- کلید کنترل حجم صوت : کنترل حجم صوت دریافتی از طریق این کلید کنترلی (VOLOME) صورت می گیرد .
17- کلید ارسال زنگ : با فشار دادن این کلید، یک بوق تک فرکانس برای اپراتور طرف مقابل ارسال می شود .
18- تنظیم کننده ی دو بلکسر سیگنال دریافتی :
این تنظیم کننده وظیفه تنظیم فیلتر ورودی روی فرکانس گیرندگی را به عهده دارد .
19- تنظیم کننده ی دو بلکسر جهت سیگنال ارسالی : این تنظیم کننده وظیفه تنظیم فیلتر خروجی روی فرکانس فرستندگی را به عهده دارد .
کنترلها و نمایشگرهای مالتی پلکسر 8 - MUX
1- کلید روشن و خاموش دستگاه (ON/OFF) : این کلید وظیفه ی روشن و خاموش کردن واحد مالتی پلکس را به عهده دارد .
2- نشانگر قدرت ورودی (POWER) :
روشن بودن این نشانگر، مبین وجود ولتاژ V24+ ورودی دستگاه می باشد .
3- نشانگر ولتاژ V48- :
روشن بودن این نشانگر، مبین وجود ولتاژ V48- در خروجی بُرد می باشد .
4- نشانگر ولتاژ V5- : روشن بودن این نشانگر، مبین وجود ولتاژ V5- در خروجی
بُرد می باشد .

5- نشانگر ولتاژ V5+ : روشن بودن این نشانگر، مبین وجود ولتاژ V5+ در خروجی
بُرد می باشد .
6- کلید قطع و وصل بیزر (BUZZER) :
این کلید در دستگاه هیچ کاری انجام نمی دهد و صرفاً جهت تغییراتی که در آینده صورت می گیرد، در نظر گرفته شده است .
7- نشانگر RX IN : روشن بودن این نشانگر، مبین عدم وجود اطلاعات در ورودی دستگاه خواهد بود. به عبارت دیگر روشن شدن این LED به اپراتور اعلام می نماید که از رادیو اطلاعاتی برای ماکس ارسال نمی گردد .
8- نشانگر RX CHECK : روشن بودن این نشانگر، مبین عدم کارکرد صحیح
بُرد RX می باشد .
9- نشانگر QUALITY :
همان طور که از نام این نشانگر پیداست، این نشانگر کیفیت ارتباط را به اپراتور نشان
می دهد. بدین صورت که با خاموش بودن کامل این LED، بهترین کیفیت ارتباط را خواهیم داشت و هر چقدر مدت زمان روشن بودن این LED بیشتر شود، از کیفیت ارتباط کاسته می شود .
10- نشانگر SYNC : روشن بودن این نشانگر، مبین عدم همزمانی بین دو دستگاه
می باشد. در این حالت هیچگونه ارتباط دیجیتال نخواهیم داشت .
11- نشانگر TX OUT : روشن بودن این نشانگر، مبین عدم وجود اطلاعات خروجی از ماکس خواهد بود. به عبارت دیگر روشن بودن این LED نشان می دهد که ماکس هیچ اطلاعاتی به رادیو نمی دهد .
12- نشانگر TX CHECK : روشن بودن این نشانگر، مبین عدم کارکرد صحیح
بُرد TX می باشد .
13- نشانگر TX CLK : روشن بودن این نشانگر، مبین عدم وجود پالس ساعت فرستندگی می باشد .
14- نشانگر RX CLK : روشن بودن این نشانگر، مبین عدم وجود پالس ساعت
گیرندگی می باشد .
15- سلکتور انتخاب وضعیت UNIT ماکس : این سلکتور دارای چهار وضعیت 1،2،3 و4 می باشد. وظیفه ی این سلکتور تخصیص شماره کانالهای واحد مربوط به شرح
زیر می باشد .
وضعیت " 1 " : کانالهای 1 تا 8 در اختیار این واحد می باشد .
وضعیت " 2 " : کانالهای 9 تا 16 در اختیار این واحد می باشد .
وضعیت " 3 " : کانالهای 17 تا 24 در اختیار این واحد می باشد .
وضعیت " 4 " : کانالهای 25 تا 32 در اختیار این واحد می باشد .
16- سلکتور انتخاب تعداد کانال : این سلکتور دارای سه وضعیت 8،16 و 32 کانال
می باشد. بسته به این که چه تعداد کانال مورد استفاده می باشد. عدد مورد نظر انتخاب می شود .
17- سلکتور انتخاب نرخ نمونه برداری از اطلاعات کانالها : این سلکتور دارای سه وضعیت k 16،k 32 و k 64 می باشد. بسته به این که با چه نرخی (rate) می خواهیم از کانالها نمونه برداری کنیم، عدد مورد نظر را انتخاب کنیم .

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   60 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

تحقیق در مورد اقتصاد دوبی

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق در مورد اقتصاد دوبی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه20

فهرست مطالب

« اقتصاد دوبی »

مروری بر اقتصاد دوبی :

پیش‌بینی‌های فعلی در باره وضعیت اقتصادی دبی چیست؟

اقتصاد امارات در سال

2009

در حالی که 20 سال پیش، نفت حدود نیمی از درآمد دبی را تشکیل می داد، اما در سال 2006 فقط 5/5% آن را تشکیل داده و پیش بینی می شود که تا سال 2010 به کمتر از 1% برسد .

امروزه تجارت، تولید، حمل و نقل، ساخت و ساز و املاک مهمترین سهم را در اقتصاد قوی و رو به رشد دبی ایفا می کنندو در واقع، جدیدترین ارقام نشان میدهند که ساخت و ساز و املاک حدود یک چهارم تولید ناخالص داخلی دبی را تشکیل می دهند. در سال 2006، تولید ناخالص داخلی دبی متجاوز از 167 میلیارد درهم بود ، که نسبت به رقم سال قبل 19% افزایش نشان می داد.

بر اساس گزارش صندوق بین المللی پول، تورم در امارات متحده عربی حدود 8% بر آورده می شود، اما عواملی مانند افزایش اجاره ها، خصوصا در دبی، هزینه ی زندگی را با سرعت بیشتری برای ساکنان این شهر افزایش می دهندو در واقع، تورم در سال 2006، 9/3% بود که بالاترین رقم در طی دو دهه گذشته است.

تجارت :

دبی از دیرباز به تجارت مشغول بوده و حتی با نام شهر تجارت شناخته می شده است و هم اکنون نیز گزینه ی مهمی برای شرکت های خارجی است که به دنبال فرصت های اقتصادی در این منطقه می باشند. آشنایی جامعه ی تجاری محلی با روشهای تجاری بین المللی و سبک زندگی جهانشمولی این شهر نیز در آن نقش دارد.

دبی موقعیت سوق الجیشی بین اروپا و خاوردور دارد و شرکتهای چند ملیتی و خصوصی که به دنبال دستیابی به بازارهای خاورمیانه ، هندوستان و آفریقا – مجموعا با جمعیتی بیش از 2 میلیارد نفر نفر – می باشند به اینجا جلب می شوند. واردات داخلی سالیانه بالغ بر 17 میلیارد دلار است و دبی دروازه ای برای 150 میلیارد دلار تجارت در سال است.

دبی و مشکلات جدید اقتصادی:

امیرنشین دبی در تامین مالی بدهی‌های خود با مشکل روبه‌رو است و مؤسسات سرمایه‌گذاری بین‌المللی ضریب بیمه بازپرداخت بدهی‌های دبی را افزایش داده‌اند.
روزنامه فایننشیال تایمز در شماره ۱۵ فوریه خود مقاله‌ای را منتشر کرده که به موضوع وضعیت مالی دبی و افزایش هزینه بیمه بازپرداخت بدهی‌های این امیر نشین اختصاص دارد. در هفته‌ای که گذشت هزینه بیمه بدهی‌های دبی از مرز هزار واحد گذشت و تقریبا معادل رقمی شد، که کشور بحران‌زده ایسلند اکنون با آن روبه‌رو است.
رقم هزینه بیمه بدهی‌های دبی اکنون دو برابر سایر امیرنشین‌های حاشیه جنوبی خلیج فارس است و این حکایت از نگرانی سرمایه‌گذارانی دارد که از سررسید طلب‌های خود از سوی دولت دبی در هراسند.
این رقم زمانی افزایش یافت که در ا بتدای ماه جاری میلادی، دولت ابوظبی اعلام کرد در حال حاضر فقط به پنج بانک متعلق به آن امیرنشین کمک مالی خواهد کرد.
این امر باعث ترس سرمایه گذاران شد، زیرا پیشتر تحلیل‌گران امیدوار بودند که دولت فدرال به پشیتبانی از دبی برخیزد و از نزول بدهی‌های این قطب تجاری کشور امارات جلوگیری کند.
در هفته‌های اخیر شرکت‌های وابسته به دولت دبی دست به اقدامات انقباضی -از قبیل کاستن از نیروی انسانی و ادغام شرکت‌ها- زده‌اند تا از هزینه‌های جاری خود بکاهند.
دولت دبی میزان بدهی خود را ۸۰ میلیارد دلار اعلام کرده که بنا بر گزارش شبکه تلویزیونی «بلومبرگ» این بدهی معادل ۹۰ درصد تولید ناخالص داخلی دبی است، اما دولت دبی هنوز ریز بدهی‌های و دارایی‌های خود را اعلام نکرده است.
در گفتگویی با دکتر مالکوم ریچاردز، استاد و مدیر دانشکده بازرگانی و مدیریت دانشگاه آمریکایی

تحقیق در مورد موانع تحول اداری

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق در مورد موانع تحول اداری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه42

فهرست مطالب

موانع تحول اداری ؛

اختلاف نظر در هدف ها ، چشم انداز و آینده مطلوب فعالیت سازمان

اختلاف نظر در خط مشی ها و راه کارهای تحول اداری

          پیام اکثر اصلاحات موفق و ناموفق اداری در جهان ، آن بوده است که تحول به ندرت از طریق شانس یا تصادف حادث می شود ، بلکه نیازمند « مدیریت تحول » است .

          « مدیریت تحول » به مجموعه ی فعالیت ها و رفتار هدفداری تأکید دارد که طی آن زیر ساخت های تحول مورد توجه و متناسب با شرایط و ویژگی های سازمان ، برنامه ریزی وجهت شروع تحول صورت می پذیرد .

          موفقیت تحول اداری ، در صورتی تضمین می شود که مدیریت و راهبری آن بر عهده کسانی باشد که عزمی راسخ و دیدگاهی روشن و مقبول نسبت به آینده و مسیر حرکت اصلاحات داشته باشند.

          نقش مدیریت تحول همانا انتقال این عزم و دیدگاه روشن نسبت به آینده در سازمان می باشد ، همچنین ایجاد هماهنگی های لازم نسبت به ایجاد درک روشن نسبت به اثرات و اهمیت تحول از دیگر نقش های مدیریت تحول به شمار می رود.

          مدیریت تحول خود حرکتی را طراحی می نماید که نسبت به تمامی ارکان و ابعاد و ملزومات آن حرکت درکی روشن و شفاف دارد . که ضمن این آگاهی تمامی عوامل تقویت کننده و بازدارنده را نیز به طور دقیق شناسائی خواهد نمود وبر اساس آنها مراحل بعدی را گام خواهد برداشت .

          در این مقاله می خواهیم پیرامون موانع و عوامل بازدارنده تحول اداری بحث کنیم ، باشد که بتوانیم با بازکردن زمینه این بحث به گونه ای امکان تحقق تحول اداری را تسریع نمائیم .

دانلود مقاله رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم

اختصاصی از اینو دیدی دانلود مقاله رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه
مورفولوژی یک پوشش بطور عمده به فناوری بکار گرفته شده بستگی دارد. بطور کلی روشهایی که در آن پوشش از فاز بخار رسوب داده می‌شوند. را می‌توان دو گروه اصلی تقسیم کرد روش رسوب شیمیایی بخار CVD و روش رسوب فیزیکی PVD بعلاوه از روشهایی به نام روشهای کمکی یا تحریک شده نیز استفاده می‌شود. بعنوان مثال روش کمکی پلاسمای رسوب شیمیایی بخار PA-CVD یا فرآیندهای دما توسط مانند روش دما متوسط CVD که با MT-CVD نمایش داده می‌شود نیز گسترش پیدا کرده است. همانطور که در شکل 5.1 نشان داده شده است بعنوان مثال به روشهای فوق مواردی مثل پرایدهای نسوز، کارمیدها، نیتریدها ،اکسیدها وترکیب های مختلفی از این گونه پوششها را میتوان رسوب داد.
5.2 روشهای رسوب شیمیایی بخار
5.2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD
در روش رسوب شیمیایی بخار واکنش کننده ها بصورت گاز تامین شده و واکنشهای شیمیایی در اثر گرما در سطح زیر لایه گرم شده انجام می‌شوند. در روشهای CVD معمولا فرآیند در درجه ر600 تا 1100 درجه سانتیگراد انجام می‌شود هزینه فرآیندهایی که در درجه وارستای پایین تر نیز کار می کنند بکار گرفته شده است. در جدول 5.1 می‌توان روشهایی از CVD که بیشتر در صنعت ارز برش بکار می رود را ملاحظه کرد.
In به شکل سنتی خود فناوری CVD بدون فرآیندهای کمکی در فشار محیط مثل پوشش دهی در فشار محیط APCVD ,CVD یا در فشار پایین مثل پوشش دهی به فشار کم CVD استفاده میشود. از فناوری APCVD که به پوشش دهی با دمای بالای (HT-CVD) CVD نیز معروف است بعنوان پرمصرف ترین روش پوشش می‌توان نام برد.
در روش کلاسیک پوشش دهی CVD که از سال 1969 در صنعت بکارگرفته شد از در یک لحظه ای حفاظت شده از اتمسفر محیط،تحت گاز هیدروژن فشار 1 اتمسفر یا کمتر تا 1000C گرم می‌شود. همچنین ترکیبات تبخیر شدنی به اتمسفر هیدروژن اضافه می‌شوند. تا بتوان ترکیبات فلی وغیرفلزی را رسوب داد. یک جنبه مشترک تمام فناوریهای CVD افزودن عنصر مورد نظر در پوشش به شکل یک هالوژن مثل Tic4 در ورد لایه های Ti(cN) یا TiN ,Tic یا مخلوطی از هالوژنها مثل Ticl4 +Bcl3 در مورد لبه های TiB2 می‌توان نام برد.
5.2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
وسایل بکار گرفته شده برای رسوب دهی لایه TiN به روش CVD در شکل 5.2 ارائه شده است در این روش یک محفظه واکنش گرم شده و وسایل انتقال گاز مورد نیاز است. در بیشتر موارد زیر لایه به روش هرفت یا تشعشعی ازداخل محفظه پوشش دهی گرم می‌شود. فرآیند با تغییر دادن درجه حرارت قطعات تحت پوشش ترکیب شیمیایی و فشار گانه ها کنترل میشود. همانطور که قبلا اشاره شد واکنشهای هالیه فلزات مثلا با هیدروژن ،نیتروژن یا متان. بکار گرفته می‌شود تا بتوان پوششهایی مثل انواع نیترید ها یا کاربیدهای فلزات را ایجاد کرد.
بعنوان مثال واکنشهای ذیل برای ایجاد پوششهای به ترتیب نیترید نتیتانیوم وکاربید تیتانیوم بکار گرفته می‌شود:
(1)
(2)

لایه اکسید آمونیومو را میتوان با واکنش ذیل ایجاد کرد.
(3)

With با مخلوطهایی از هالیه فلزات، هیدروژن ،اکسیژن، نیتروژن ،هیدروکربنها و ترکیبات بر، پوششهای مختلفی از نیترید، کاربید و براید فلزات را میتوان به روش CVD ایجاد کرد. در حال حاضر متداولترین پوشش های ایجاد شده به روش هستند (شکل 5.3) لایه های ایجاد شده به روش CVD ساختار میکروسکوپی ستونی دارند هر چند رسوبات اولیه گاهی به شکل هم محور هستند.
بطور خاص اندازه دانه وساختار میکروسکوپی اولیه به شدت به شرایط اعمال شده در فرآیند بستگی دارد.
چون فرایند در درجه حرارتهای بالا انجام می‌شود بین پوشش زیر لایه به میزان قابل توجهی نفوذ صورت می گیرد. بنابراین پوششهای CVD معمولا چسبندگی بین پوشش و زیر لایه را به شدت بهبود می بخشد. در رسوب دهی Tic کربن کاربیدهای زیر لایه باتیتانیوم طی واکنشی تولید Tic می کنند.در اثر کربن زدایی از سطح باعث می‌شود که ناز ترد اما تولید شود و آن نیز به نوبه خود با تخلخهای بسیار در زیر لایه در مرز پوشش –زیرلایه همراه است که در شکل 5.3. نشان داده شده است.
5.2.3 فرایند درجه حرارتهای متوسط (MT- CVD) CVD
اثبات شده که استحکام پارگی در سطح مقطع (TRS) در کاربیدهای 300% یا بیش از آن کاهش می یابد. مشکل ضعیف شدن لبه برش را میتوان با استفاده از فرآیندهای درجه حرارت متوسط رفع کرد یا honing لبه های از در قبل از فرآیند رسوب دهی CVD تا حدودی کاهش داد.
The با انتخاب مناسب واکنشگرهای گازی یا فشارهای کمتر باعث میشود که بتوان در درجه حرارتهای پایین تر رسوب دهی کرد. در موراول هنگام ایجاد لایه Tic هیدروکربن بنزن را میتوان بجای متان جایگزین کرد برای ایجاد لایه Ti(C,N) بجای CH4 میتوان از استولینتریل استفاده کرد. فرایند موسوم به رسوب شیمیایی بخار در درجه حرارت متوسط (MT- CVD) در درجه حرارتهای بین دماهای فرایند های HT-CVD ودمای فرایندهای PVD فرایند انجام می‌شود. در حقیقت این فرایند در درجه حرارتهای بین 750 تا 900 درجه سانتیگراد (بطور متوسط 850c) انجام می‌شود. درجه حرارتهای کمتر رسوب دهی باعث کاهش تنشهای رس ماند وبهبود چقرگی در لبه ها می‌شود. ابزار پوشش داده شده به روشMT-CVD در مقایسه با فرایند CVD در درجه حرارتهای بالا مقابل شوکهای حرارتی واز بین رفتن لبه ها مقاومت بیشتری از خود نشان می دهد. این اثرات مفید باعث بهبود کارایی coated inserts در عملیات برشکاری منقطع میشود . در این تقسیم بندی TicN پوشش برتر (ترجمه leading) است.بعلاوه برای دستیابی به فناوری CVD با دقت های بیشتر (fine –trining) از ترکیبی از MT-CVD, CVD می‌توان استفاده کرد.بعنوان مثال با ترکیب یاز MT-CVD برای ایجاد لایه TiCN با حداقل مقدار فاز و ایجاد لایه با استفاده از CVD که بتوان ابزار پوش داده شده ای را برای ظرفیتهای باربرداری زیاد ایجاد کرد خصوصا برای بار برداری شدید خشن کاری مناسب است.
In در مورد د وم با کاهش فشار تا حد 1تا5 کیلوپاسکال منجر به فرآیند فشار پایین (Lp- CVD) CVD خواهد شد.
Fig شکل 5.4 مقاومتهای اساسی در ساختار میکروسکوپی از زیر لایه در اثر تکنیکهای رسوب دهی مختلف را نشان می دهد. در یک فرایند خاص CVD مرسوم به تکنولوژی چند لایه ای (Ml- CVD) CVD که اخرا توسط [s)widia Valemta ابداع شده طی آن بش از 200لایه بسیار بسیار نازک روی یک (insert) ایجاد می‌گردد.
The بیشترین مزیت پوشش ML-CVD آن است که بطور موثر در مقابل انتشار ترکهای میکروسکوپی در ساختار پوشش مقاومت می‌کند. پوششهای ML- CVD دارای سطوحی بسیار نرم بودکه که اصطکاک وحرارت ایجاد شده در اثر جداشدن براده در سطح تیغچه را حداقل می‌کند. تمایل وجود دارد که تیغچه های پوشش داده شده با ML- CVD از جنس را جایگزین پوششهای متداول کرد. هم چنین فرایندهای پوشش دهی لایه های معروف به MTML-CVD (فرایندهای متوسط ML- CVD) هم چنین توسعه یافته اند. [5]
5.2.4 روش کمکی پلاسما (ACVD) CVD
Fither برای کاهش بیشتر درجه حرارت میتوان از فعال کردن الکترونی محیط گازی با استفاده از تخلیه (glow) استفاده کرد که این عمل با جریانهای با فرکانس بالا یا با اعمال تکنولوژی لیزر (LCVD) یا اشعه الکترونی (EA CVD) از یک محیط گازی مناسب انجام می‌شود. در فرایند کمکی پلاسما (PACVD) CVD که در آن یک تخلیه الکتریکی در گاز فشار پایین صورت می گرید تا سینک واکنشهای CVD تشدید شود. این فرایند یکی از پرمصرف ترین روشهای رسوب دهی( ترکیب شده) محسوب می‌شود. این فرایند ترکیبی از درجه حرارتهای متوسط رسوب دهی(حدود 600c) وایجاد پوششی با ضخامت مناسب ویکنواخت بدون هیچگونه نیاز به دوران ابزرا در حین فرایند پوشش دهی را ایجاد می‌کند. در فرایند متداول CVD انرژی حرارتی واکنش شیمیایی را فعال می‌کند واین باعث تشکیل پوشش سخت خواهد شد.درروش کمکی پلاسمای CVD فعال شدن در درجه حرارتهای پایین تر با انرژی ذرات ایجاد شده در اثر پلاسما بعنوان مثال تخلیه گاز آرگون جبران می‌شود.
در این روش از منبع انرژی با جریان مستقیم وجریان با امواج رادیویی برای رسوب دهی پوششهای هادی حرارت مثل Tic,TiN) وپوششهای عایق حرارت میتوان استفاده کرد.
Figur 5.5 شکل 5.5 بطور شماتیک فرایند PACVD را که در آن از کوره تخلیه glow با استفاده از لوله کوارتز که بوسیله ژنراتور ولتاژ بالا (که میتوان به دلخواه از جریان منقطع با فرکانس رادیویی یا میکرویو استفاده کرد که بوسیله یک میکروپروسسور کنترل می‌شود را نشان می دهد.سیستم خلاء کوره تخلیه glow به یک پمپ خلا مجهز است که بتوان فشار داده محفظه کاری بین با جریان های مورد نیاز گازهای واکنش کننده بین 1-13mpa تنظیم کرد وبتوان پس از پایان فرایندهای با هوا محفظه را با هوا پر کرد. تکنیک PACVD که در بالا تشریح شد را می‌توان در محدوده دمایی بین 670 تا 870 درجه کلوین برای مخلوطی از گازهای شامل برای ایجاد یک لایه یا لایه هایی با ترکیبات مختلف هر یک شامل Ti(C,N) ,Tic,TiN ایجاد کرد. می‌توان بعنوان زیر لایه از فولادهای ابزار، فولادهای HSS وکاربیدهای سمانته استفاده کرد. باید توجه کرد که برای استفاده از فولادهای HSS بعنوان زیر لایه باید عملیات حرارتی مناسب را قبل از عملیات پوشش دهی انجام داد.
A broader هنگام استفاده از اتمسفرهای گازی حاوی ترکیبات آلی فلزی با روش PACVD بجز به تخلیه Slow بدون عملیات قبلی میتوان به کاربردهای وسیعتری دست یافت. بعنوان مثال با این فرایند می‌توان لایه های چند جزیی از ولایه های مرکبی مثل تیتانیوم اکسی نیترید Ti(NCO) که بروی آن لایه های از نیترید تیتانیوم قراردارد را ایجاد کرد مثل Ti(NCO)+TiN [2]

5.2.5 رسوب دهی فیلمهایی از الماس
The روش کمکی پلاسمای CVDبعنوان یکی از روشهای متداول برای رسوب دهی فیلمی از الماس نازک روی قطعات مطرح است. از این روشها تجزیه گازهای جاری کربن در حضور هیدروژن واغلب اکسیژن صورت می گیرد.
بعنوان مثال مخلوطی از گازهای متان، هیدروژن و دی اکسید کرین ممکن است استفاده شود.
The most آخرین توسعه در ایجاد پوشش های سخت ایجاد فیلمهای الماس در فشارهای کم با استفاده از تجزیه گازهای کربن دار در حضور یونهای هیدروژن است این فرایند جایگزین فرایند تولید الماس مصنوعی لایه wc-co لحیم کاری سخت میشود [4,8] مع ذلک این ابزارهای در گران بودن فرایند HP-HT و عملیات صیقل کاری با الماس و پولیش کردن نسبتا گران هستند. در مقابل با پوشش دهی ابزار ممانعه با الماس به روش کم فشار CVD دیگر هیچ ضرورتر به پرداخت سطح پوشش داده شده وجود ندارد.
Microware فرایند CVD با استفاده از میکرویو، فیلمان گرم، احتراق مصنوعی، وقوس پلاسما تعدادی از روشهای هستندکه بصورت مستقل یا ترکیبی برای ایجاد پوششهای الماس بر روی ابزارهای برش بکار گرفته می‌شوند. [8] در مورد سیستمهای متداول میکرویو،فیلم الماس به روش CVD بر روی زیر لایه ای در دمایی حدود 900c که نزدیک دمای گاز ترکیب شده است اعمال می‌گردد. دراین روش مخلوطی گازی از حاوی 1تا5 درصد اتمی مثال در هیدروژن بصورت شیمیایی تحریک شده تا رادیکالهای هیدروژن وهیدروکربن ایجاد شود. همانطوریکه اشاره شد در بیشتر سیستمها تحریک با استفاده از تشعشع میکرویو ایجاد می‌گردد. معمولا از فشارهایی مارن (20تا 100 torr) برحسب طراحی توان راکتور( و نرخ رسوب دهی برای ابزار بین 1/0 تا 10 استفاده می‌شود. [9] با این روش تولید الماس مصنوعی برای کاربردهای ابزار برش می‌توان ترکیبی از بلورهای کوچک الماس( معمولا به قطرهای بین 1تا10 میکرومتر) دست یافت. که هر یک از بلورهای تولید شده در این روش مثل یک الماس طبیعی والماس تولید شده به روش مصنوعی در فشار بالا می‌باشد.
The مهمترین عامل در موفقیت آمیز بودن ایجاد پوشش الماس بر روی ابزار برش در فرایندهای متداول میزان چسندگی فیلم زیر لایه است. این مسئله در اثر تفاوتهای قابل توجه در خصوصیات این لایه با زیر لایه مثل ضریب انبساط حرارتی.‌مدرن الاستیک ، خواص شیمیایی و ساختار اتمی متفاوت بین الماس و کاربیدهای ممانته می‌باشد.
As همانطوریکه komandri , Malika گزارش کرده اند [8] می‌توان الماس را با چسبندگی قوی بوسیله میکرویو با استفاده از CVD روی زیر لایه ابزار کاربید ممانته تنگستن حاوی کبالت کم (%3) وکبالت زیاد (6نت 12%) ایجاد کرد. هم چنین با عملیات قبلی Morakami بعلاوه عملیات اولتراسونیک با استفاده از سوسپانسیون الماس برای داشتن کبالت سطحی از روی کاربیدهای تنگستن ممانته تیغچه ها دریافت که برای بهبود کیفی وچسبندگی پوششهای الماس بر روی زیر لایه wc-co بسیار تعیین کننده است. به ویژه دیده شده تنشهای پس ماند اثر مهمی بر کآرایی ابزار های برش دارد. کاربیدهای دریل (6%-94%wc) که با فیلمی از الماس که راکتوری به روش فیلمان داغ CVD پوشش داده شده است وجود تنشهای فشاری در فیلم و در مرز بین فیلم و زیر لایه به روش اسیکترویسکی Raman تشخیص داده شد. همانطوریکه Uh/mann همکاران گزارش کرده اند [12] هر دو کلاس زیر لا یه k10-iso و زیر لایه های سرامیکی با لایه های از الماس به ضخامت فرایند HF CVD پوشش داده شده اند. طبق شکل 4.5 باید توجه کرد که فیلم الماس CVD بطور متوسط حدود 30% بیش از تیغچه های لحیم کاری سخت شده PCD از خود نشان می دهند. مع ذالک ابزارهای پوشش داده شده با الماس مخصوصا آنهایی ک با فیلم های ضخیم تر و پوشش داده می‌شوند. را نباید در عملیات برشکاری منقطع استفاده کرد زیرا اینها نسبت به ابزار PCD مقاومت کمتری در مقابل شکست از خود نشان می دهند. شکل 56(a) تصویری SEM از یک لبه برش تیز از یک ابزار پوشش داده شد با الماس به روش CVD هنگامیکه پوشش نازکی معادل روی آن ایجاد شده را نشان می دهد. شکل را نشان می دهد.
5.6(c ) هنگامیکه ضخامت پوشش الماس معادل است.در این شکل دیده می‌شود که چگونه شکل هندسی آن بطور قوی تری تغییر یافته است.
5.3 تکنیکهای رسوب فیزیکی بخار
5.3.1 جنبه های عمومی وکاربردها
در دهه 1980 روش رسوب فیزیکی بخار (PVD) بعنوان یک فرایند اقتصادی برای ایجاد پوششهای TiN روی ابزار کاربید ممانته مطرح شد. در مقایسه با CVD ،فرایند PVD در درجه حرارتهای نسبتا پایین رسوب دهی معمولا بین 200 تا C 500 بکار گرفته می‌شود. رسوب دهی در دماهای پایین از تشکیل فاز جلوگیری می‌کند و پوششهای عاری از ترک با دانه هایی ریزتر را ایجاد می‌کند. نتیجتا نیازی به (تیز کردن hone) لبه های ابزار قبل از فرایند پوشش دهی وجود ندارد. پوششهای PVD مزایای بسیاری از قبیل عملیات ماشین کاری و یا مواد مورد ماشینکاری نسبت به فرایند CVD داراست.
با این روش پوششهایی به ضخامتهای کمتر از میتوان ایجاد کرد معمولا بین 2تا5 پوششها نرم بوده لذا در حین عملیات ماشینکاری حرارت کمتری در اثر اصطکاک ایجاد میشود. همانطوریکه در شکل 5.7 دیده می‌شود پوششهای PVD را می‌توان بصورت یکنواخت روی لبه های تیز ابزار برش ایجاد کرد. لبه های برش تیز وقوی جز به ملزومات اولیه در فرایندهای ماشینکاری ، سوراخکاری.‌ایجاد دنده پیچ، وقطع کردن بوده واز ایجاد BUE جلوگیری کرده وهنگام برش فولادهای کم کربن از تولید براده های طویل جلوگیری کند. هم چنین ابزار پوشش داده شده با روش PVD رامی توان برای ماشینکاری محدوده وسیعی از مواد با قابلیت ماشینکاری به مثل تیتانیوم آلیاژهای پایه ومورد غیرآهنی را ماشینکاری کرد. مخصوصا لبه های نیز نیروهای برش را تقلیل می دهند بنابراین از اینگونه ابزار می‌توان بصورت موثر در ماشینکاری قطعات با دیواره های نازک استفاده کرد. امروزه تکنیکهای PVDبرای رسوب دهی لایه های بکار گرفته می‌شود. با توجه به خاصیت عایق حرارتی عالی TiAlN ازین پوشش برای محافظت زیر لایه در مقابل سایش نفوذی استفاده می‌شود.
It دیده شده که پوشش دی برات تیتانیوم (TiB2) که از TiALN, PVD-TiN سخت تر است میتواند در مقابل ترکیب شدن شیمیایی با مواد غیرآهنی مقاومت کند یعنی آلیاژهای هیپویوتکنیک آلومینیوم ونیزیم تشکیل نشود. [13] در ژاپن نسل کاملا جدیدی از ممانته های برای کاربردهای خاص ابداع شده اند که باید تنها از PVD-TiAlN یا چند لایه های TiCN وفیلمهای فوق شبکه های TiN-AlN گسترش یافته اند. [14]
آخرین گسترش از تکنولوژی PVD ایجاد پوشش های نرم Mosاست همچنین پتانسیل زیادی برای ایجاد ترکیبات سخت و نرم با این روش وجود دارد که در آن اولین لایه سخت به روش PVD از TiN یا TiAlN مقاومت در مقابل سایش و حرارت را ایجادمی کند ولایه روش از جنس Mos2 نرم بوده که اصطکاک را کاهش داده وامکان کنترل براده را ایجاد می‌کند.مشابها مواد مرکب TiAlN با لایه روشن wc/c برای کاهش اثرات برش اولیه وبهبود جریان براده ها طراحی شده اند. باید توجه داشت که بسیاری از پرسشهای اقتصادی PVD ساختاری چند لایه ای داشته وپوششهای آنها خواص ترکیبی از هریک از پوششها را داراست. هم چنین بعضی خصوصیات اضافی ممکن است در مورد پوششهای فوق شبکه ای مثل TiN/AlN ,TiN/NlN نیز ایجاد شوند.
In the در مورد فرایندهای که موسوم به PVD هستند مواد پوشش از حالت اتمی مولکولی یا یونی به سطح تحت پوشش هدایت شده و این مواد بصورت فیزیکی نه شیمیایی از منابع جامد مایع یا گازی شکل تامین می‌شوند. [3] بطور کلی پوشش در شرایط خلاء از فلویی از اتمهای خنثی یا یونیزه شدن روی سطح کاندنس شده در حالیکه اجزا فلزی از صنایع مختلفی شامل تبخیر اشعه الکترونی به mggnetron spottring و تبخیر قوس الکتریکی تامین می گردند.قبل از عملیات رسوب دهی محفظه پوشش تحت خلاء شدیدی در حدود تا 3/1 پاسکال (معادل torr) قرار می گیرد. می‌توان تمام روشهای متفاوت PVDبرای پوشش بخار فلزات بر روی زیر لایه را به سه گروه اصلی تقسیم کرد. تبخیر Spoting و پوشش دهی یونی .[2,16] طبق نظر [32]sproul در حال حاضر ها روش برای ایجاد پوششهای سخت بکار می روند که عبارتند از به تبخیر با ولتاژ کم اشعه الکترونی رسوب دهی قوسی کاتدی magnetron spotting بالانس و جدیدترین آنها magnetron spotteing غیربالانس است. اخیرا منابع اشعه الکترونی کاتدی یا سوراخ داغ نیز در حال گسترش است تفاوتهای این چهار نوع از تکنیکهای رسوب دهی به نحوه تبخیر مواد منبع به نحوه ایجاد پلاسما و به تعداد ونوع یونها الکترونها وگازهای اتمی تشکیل دهنده پلاسما مربوط می‌شود.
5.3.2 تکنیکهای تبخیر
ساده ترین فرایند PVD تبخیر است(شکل 5.3a) که طی آن پوشش در اثر تبخیر گرمایی فلز غیریونی یا در حد بسیار کمی یونیزه شده از یک منبع مذاب که اغلب به وسیله اشعه الکترونی یا قوس الکتریک گرم شده تامین می‌گردد. شکل 5.8 شماتیک یک سیستم رسوب دهی را که در آن برای تبخیر از قوس الکتریک برای ایجاد پوشش فیلم استفاده شده را نشان می دهد.[17]
The suسیستم نشان داده شده در شکل 5.8(b) به یک کاتد تیتاینوی بزرگ (خلوص 99.8%) که بصورت افقی روی دیواره ای از فولاد زنگ نزن محفظه تحت خلاء قرار گرفته مجهز است زیرا لایه (تیغچه ) روی یک فیکسچر دوران کننه با نیروی مغناطیس دائم قرار می گیرد. کمترین فاصله بین زیر لایه سطح کاتد بزرگترین حد خود یعنی در 13 سانتیمتری قرار می گیرد. قبل از قراردادن تیغچه روی فیکسچر مغناطیسی زیر لایه را باید با استفاده از روش اولتراسونیک از هر گونه چربی زدود. باید کامپیوتر کل داده های فرایند کنترل می‌شود و درجه حرارت روی زیر لایه با استفاده از پیروستر مادون قرمز اندازه گیری می‌شود. در حین اولین مرحله (یعنی spotteing) زیر لایه بوسیله یونهای Ti بمباران می‌شود. این بمباران بوسیله تیتانیوم بوسیله تخلیه قوس الکتریکی بر روی سطح کاتد تیتانیومی که با جریان مستقیم DC وشتاب یافته بوسیله زیرا لایه منفی bias در اتمسفر گاز آرگون انجام می‌شود. در نتیجه منطقه ای معروف یونیزه شدن ایجاد می‌گردد. بعد از این مرحله جریان گاز Ar با N2 خالص عرض شده و لایه ای ضخیم از TiN رسوب می‌کند. فرایند رسوب دهی در جریان تخلیه مناسب (300 آمپر)‌و زیر لایه bias (400 ولتی) و هنگامیکه مخلوطی از جریان گازهای CH4بجای جریان N2 عوض می‌شود ایجاد می‌گردد. در صورتیکه مقدار کربن بیشتر شود. پوشش مستقل از ترکیب شیمیایی آن رنگی خاکستری خواهد داشت.
There برای رسوب دهی پوششهای چند جزئی سه متغیر اصلی در فرایند وجود دارد. [34] همانگونه که در شکل 5.9 دیده می‌شود فیلم را میتوان با تسخیر هم زمان مواد کاغذی متفاوت یا به روش دیگر با استفاده از کاتدهایی با تعدادی عناصر آلیاژی ایجاد کرد. سومین متغیر دراین فرایندرسوب دهی به همراه واکنش با استفاده از مخلوطی گازها است که طی آن مقداری متالوید تشکیل می‌شود مثل کربن، نیتروژن واکسیژن در فیلم در این صورت فرایندی با کنترل بسیار دقیق مورد نیاز است زیرا متغیرهای غیر مستقیم فرایند باعث تشکیل طیف وسیعی از هم کنشها خواهد شد به شکل 5.10 توجه کنید.
Electron
روش اشعه الکترونی رسوب فیزیکی بخار (EBPVD) به منظور ذوب کردن مواد پوشش ساخته شده از فلزات آلیاژها یا سرامیکها تخبیر آنها در خلاء و رسوب دهی آنها روی یک قطعه یا جز است.
که در شکل 5.11 نشان داده شده است. رسوب دهنده به 6 تفنگ الکترونی یونی مجهز است هر یک از اینها توانی معادل 45kw دارند لذا پوشش با توان کلی معادل 270kw رسوب داده می‌شود. تکنولوژی EB-PVD براساس تکنولوژی ابداع شده در انسیتو جوشکاری آکادمی علوم اوکراین توسعه یافته است.
5.3.3 تکنیکهای Spottering
در S انرژی لازم برای انتقال مواد از منبع به طرف زیر لایه از طریق گازهای یونی سنگین پرانرژی تامین می‌گردد. این فرایند بطور شماتیک در شکل 5.12 ارائه شده است یونهای مثبت در اثر تخلیه slow در یک گاز فشار پایین (معمولا در 0.1 تا 10 پاسکال) تشکیل شده و با انرژی معادل چند KeV به مواد منبع جامد که دارای قطب منفی هستند برخورد می‌کند.
این بمباران یونی باعث که اتمها از هدف S شده وسپس در فاصله کمی دورتر به زیر ل ایه برخورد کنند. اگر از یک منبع جریان مستقیم استفاده شود پوشش فقط حاوی مورد هادی خواهد بد ولی با استفاده ازمنبع با امواج با فرکانس رادیویی این محدودیت نیز از بین می رود.
In addبعلاوه معمولا از یک منبع M برای افزایش راندمان یونیزاسیون استفاده میشود. در تمام واحدهای باعث تمرکز تخلیه glow بر روی سطح هدف تحت S مجهز به خنک کاری با آب می‌شود. این هدف می تواند از یک یا چند ماده تشکیل شده باشد تخلیه الکتریکی در مخلوطی از گازهای خنثی وواکنش که بطور دائم به محفظه تزریق می‌شود انجام می گیرد.
The surfa سطح تحت پوش دهی معمولا با ولتاژ بالایی حدود 500v قطبی است که این باعث تمیز شدن سطح قبل از عملیات رسوب دهی شده و متضمن تامین یونهای بر انرژی در حین فرایند رسوب دهی خواهدبود. تکنیکM.S یکی از متداولترین روشهای رسوب دهی بوده وحدود 25% تمام کاربردهای را شامل می‌شود. این بدین علت است که با این فرایند می‌توان عملا تمام مورد با نقاط ذوب مختلف را تبخیر کرد که می‌توان از نام برد. همچنین با استفاده مناسب از مخلوط های گازی واکنشگری مثل احتمال بیشتری برای تشکیل فیلمهای نازک بوجود می آ‌ید. چسبندگی بیشتر در درجه حرارتهای پایین تر رسوب گذاری در اثر انرژی بالای یونها ونرخ رسوب گذاری بیشتری در محدوده 3تا10 نیز مشاهده شده است. [7] در مقام مقایسه سیستمهای دیودی بطور معمول نرخ رشدی معادل 1تا 100 دارا هستند.
One of یکی از اصلاحاتی که در تکنیک M.S ایجاد شده معروف به میدان بسته غیربالانس MS پوشش یونی (CFUBMSIP) است که یک فرآیند استاندارد اعمال شده برای رسوب دهی مرکب ( با تیتانیوم کم وزیاد) ابداعی توسط کمپانی Tear coatings Ltd [25]. تجهیزات آن در شکل 5.14 ارائه شده است . دراین تکنیک 3 هدف یک هدف Ti در یک میدان بسته بکار گرفته شده است. میدان مغناطیسی غیربالانس M باعث افزایش شدت بمباران فیلم در حال رشد بوسیله یونهای پرانرژی شده که در نتیجه آن ساختار متراکم شده و چسبندگی آن بهبود می یابد. در حین عملیات رسوب دهی زیر لایه بین هدف ها دوران می‌کند. در ابتدا لایه نازکی از تیتانیوم تشکیل می‌شود با دوران زیر لایه در مقابل هدف ها پوشش از مخلوط وتیتانیوم ایجاد می‌گردد. این لایه حاوی مخلوطی از ساختار چند لایه ای به ضخامت 200nm است. در حین عملیات رسوب گذاری درجه حرارت کمتر از 100c است.
As همانطوریکه در مرجع {26] گزارش شده است از روش S یونی میتوان برای تولید پوششهای چند عنصری منحصر بفرد معروف به Laser-cout 964 رنگین کمان استفاده کرد. این پوششها حاوی مواد مختلفی است و برخلاف تکنولوژی چند لایه ای حاوی لایه های مجزا نیست. در عوض هشت عنصر مختلف باهم ترکیب شده تا یک پوشش فوق العاده نازک را ایجاد کنند. در ابتدا عناصر گازی در محفظه ای تحت خلاء از (454c )850F تزریق میشود. تخلیه الکتریکی باعث میشود گازها منفجر شده سپس لایه نازک به رنگ رنگین کمان روی انتهای غلطکها (endmills) در پلها، قلاویزها، و هر نوع ابزاری که در آنها اصطکاک و سایش شدید صورت می گیرد رسوب می‌کند.فیلم رسوب گذاری شده به شدت سخت است. ومنحنی آن معادن 90تا92 راکول cخواهد بود.
5.3.4 پوشش دهی یونی و تکنیکهای مخلوط
سومین فرایند PVD مهم پوشش دهی یونی است که در این فرایند اتمها یا مولکولهای مواد پوشش از یک منبع داغ تبخیر شده و داخل یک تخلیه glow شده که معمولا حاوی آرگون در فشار 0.1 تا 10 پاسکال است.[3] منبع بخار ممکن است بصورت مقاومتی یا باید اشعه الکترونی گرم شود یا ممکن است برخورد قوس الکتریک به یک منبع جامد تامین می‌شود. انرژی بالای اتمها در سطح زیر لایه به همراه تفرق ناشی از برخورد یونهای آرگون باعث ایجاد یک پوشش یکنواخت چسبندگی خوب در حین مخلوط شدن در مرز می‌گردد. نرخ رسوب گذاری برای فلزات با این روش به چند می رسد.
In practice همانطوریکه در شکل 5.15 ملاحظه می‌شود در عمل ترکیبی از سه روش گفته شده بکار گرفته می‌شود در تجهیزات نشان داده شده درشکل 5

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   47 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

دانلود مقاله آثار تعدّی و تفریط مستأجر نسبت به عین مستأجره (ضمان مستأجر)

اختصاصی از اینو دیدی دانلود مقاله آثار تعدّی و تفریط مستأجر نسبت به عین مستأجره (ضمان مستأجر) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 مقدمه :
بدون شک همواره در هر علمی و نه تنها در علم حقوق، اختلاف نظر در بین علما و صاحب نظران آن علم وجود دارد و البته این امر در علم حقوق و فروعات آن بیش از هر علم دیگری به چشم می‌خورد.
همانطور که می‌دانیم در این علم همواره موضوعاتی مورد بحث و بررسی واقع می‌شود که محل بحث بسیاری از حقوقدانان و فقها بوده است و البته این امر همچنان نیز ادامه دارد.
آنجا که در گذشته فقهای اسلامی مسائل مربوط به امور اجتماعی مردم و خصوصاً مسائل حقوقی آنها را با قدرت استنباط خود از قرآن و احادیث استخراج می‌کردند، اختلاف آرا در این موضوعات امری بدیهی به نظر می‌رسد و البته از آنجا که قانونگذاران کشور ما نیز در بسیاری از موضوعات از فقه اسلامی پیروی کرده‌اند، لذا حقوق موضوعه کشور ما نیز از این موضوع بی‌نصیب نمانده است و در بسیاری از این موضوعات قانونگذاران که به نظر خود نیز از اختلافات فقهی در میان فقها مطلع بوده‌اند، یا سکوت اختیار کرده‌اند و یا بسیار مبهم، به نحوی که هیچکدام از نظرات را صریحاً نقض یا قبول نمی‌کند، بیان حکم کرده‌اند
این ابهامات و شبهات در برخی از مواد قانونی، حقوقدانان را بر آن داشته است که با استفاده از قواعد عمومی و اصول حقوقی، مسائل را موشکافی کرده تا شاید این روش، طریقی برای رسیدن به تفاسیر صحیح و نتیجه‌گیری منطقی در این مسائل گردد.
یکی از مسائلی که از دیرباز محل بحث‌های متعددی در میان فقها و حقوقدانان بوده است، «شرط ضمان مستأجر» نسبت به عین مورد اجاره می‌باشد. چنانچه می‌دانیم مستأجر نسبت به عین مستاجره در حکم امین است و ید او نسبت به مورد اجاره ید امانی محسوب می‌شود. یعنی اگر عین تلف گردد، مستأجر ضامن تلف نیست مگر اینکه تعدی یا تفریط کرده باشد. این موضوع در ماده 493 ق.م نیز پیش‌بینی شده است و قانونگذار در این ماده نیز مستأجر را نسبت به عین مستأجره امین می‌داند مگر اینکه تعدی یا تفریط کرده باشد، که در این صورت ضامن هر عیب و نقصی خواهد بود ولو اینکه تلف مستند به فعل او نباشد.
اما آنچه محل نزاع واقع شده است، صحت شرط ضمان مستأجر در ضمن عقد اجاره است، بدین معنا که مستأجر در هر صورت ضامن عین مستأجره است و مسئولیت هرگونه عیب و نقص به عهده اوست ولو اینکه از حدود متعارف برای انتفاع از عین مستأجره تجاوز نکند و بعباره‌الاخری در صورت عدم تعدی و تفریط نیز ضامن است.
از آنجا که ثبت اجاره‌نامه‌ها در دفاتر اسناد رسمی از دیرباز متداول بوده است و همچنان نیز ادامه دارد، تحقیق در صحت و یا احیاناً فساد چنین شرطی و بررسی ادله هر یک از دو نظریه توسط سردفتران و دفتریاران خالی از وجه نخواهد بود، مضافاً به اینکه این شرط عموماً در ضمن تنظیم اجاره‌نامه‌ها ملحوظ می‌گردد .
با اندکی بررسی و تأمل در کتب فقهی به این نکته دست می‌یابیم که مشهور فقها به بطلان چنین شرطی فتوا داده‌اند. معهذا در میان پیروان نظریه فساد نیز اختلافاتی وجود دارد، بدین نحو که برخی چنین شرطی را باطل می‌دانند، لیکن آن را مبطل عقد نمی‌دانند و در مقابل برخی دیگر پا فراتر نهاده و چنین شرطی را خلاف مقتضای ذات عقد اجاره بر می‌شمارند و لذا معتقدند مبطل عقد نیز می‌باشد.
اگرچه مشهور فقها عموماً بر فساد چنین شرطی اجماع کرده‌اند، لیکن پذیرفتن مطلق این نظریه، خصوصاً بدون توجه به ادله نظریه صحت منطقی به نظر نمی‌رسد.
در عصری که اصل حاکمیت اراده از مهمترین اصول حقوقی برشمرده می‌شود و وضع ماده 10 ق.م ماهیت قانونی نیز به آن بخشیده است، پذیرفتن فساد و عدم صحت قراردادی که طرفین بر آن تراضی کرده‌اند، بدون بررسی و تأمل دقیق امری بس مشکل و دشوار است.
لذا در این مقاله به بررسی هر یک از این نظریات و دلائل مربوط به هر یک و انطباق آن با اصول حقوقی می‌پردازیم و پس از بررسی دلائل و فروعات هر یک از دو نظریه صحت و فساد در خاتمه نیز به نتیجه‌گیری از دو مبحث مزبور و اینکه کدامیک از نظریات قابل انطباق با حقوق موضوعه و رویه قضایی عصر حاضر است، خواهیم پرداخت که امید است مورد توجه واقع گردد.

الف ) بررسی و تحلیل نظریه فساد:
همانطور که گفته شد اکثر فقها علاوه بر اینکه مستأجر را نسبت به عین مستأجره امین می‌دانند، شرط ضمان آن را بدون تعدی و تفریط صحیح نمی‌دانند به طوری که شهید در لمعه می‌گوید:
«و لا یضمن المستأجر العین الا بالتعدی او التفریط، ولو شرط ضمانها فسد العقد»
قسمت اخیر عبارت شهید در لمعه حکایت از آن دارد که وی علاوه بر فساد شرط ضمان، آن را مفسد عقد نیز می‌دانند. لذا همانطور که از نظرتان گذشت باید در مورد فساد چنین شرطی در دو مورد قائل به تمایز شویم:
1 ـ شرط ضمان مستأجر خلاف مقضای ذات عقد اجاره است: قبل از هرچیز باید با مفهوم شرط خلاف مقتضای عقد و دلایل بطلان عقد در صورت اندراج چنین شرطی آشنا شویم. مقتضای عقد یعنی اثری که طرفین عقد به منظور ایجاد آن عقد را منعقد می‌کنند. مثلاً در عقد بیع تملیک و تملک مقتضای ذات عقد بیع می‌باشد، و به همین نحو می‌توان تملیک منافع را مقتضای ذات عقد اجاره دانست، چرا که ماده 466 ق.م در تعریف عقد اجاره آن را عقد تملیکی معرفی می‌کند که به موجب انعقاد آن فیمابین موجر و مستأجر، مالکیت منافع برای مدت محدودی به مستأجر منتقل می‌شود.
پس هر عقدی دارای مقتضایی است و مقتضی این مقتضا نیز عقد مزبور است. در عقد بیع تملیک و تملک مقتضای عقد است و عقد بیع نیز مقتضی این مقتضاست.
مستنداً به ماده 233 ق.م شرط خلاف مقتضای عقد نه تنها خود باطل است بلکه مبطل عقد نیز می‌باشد و دلیل این امر نیز تعارض بین شرط و مقتضای عقد است. از آنجا که رابطه شرط و عقد، رابطه فرع و اصل است و شرط از عقد تبعیت می‌کند، لذا اگر عقد باطل باشد، به تبع آن شرط مندرج در ضمن آن نیز باطل است و مسلماً عکس این مطلب غالباً موجب بطلان عقد نمی‌شود. لیکن هرگاه شرط باطل به نحوی باشد که موجب تزلزل ارکان عقد نیز بشود، بدون شک موجب فروپاشی ارکان عقد نیز می‌شود و لذا مبطل عقد نیز می‌باشد.
در جایی که شرط برخلاف مقتضای عقد درج شده است، بدون تردید ارکان معامله موجب تزلزل می‌شود و این تزلزل نیز به سبب وجود تعارض بین عقد و شرط حادث می‌گردد (اذا تعارضا تساقطا) و البته این تعارض بین عقد و شرط در دو مورد متفاوت است:
اول اینکه تعارض بین شرط و عقد حادث و این تعارض مستلزم تساقط است و دوم اینکه تعارض بین آن دو مستلزم تساقط نباشد.

اگر شرط درج شده در عقد برخلاف تمام آثار مقتضای عقد باشد، یعنی اینکه مانع تمام تصرفات مادی و حقوقی گردد، مثل اینکه در ضمن عقد بیعی درج شود «مالکیت مبیع به خریدار منتقل نگردد»، این تعارض مستلزم تساقط است و همچنین است در موردی که شرط مندرج عمده آثار مقتضای عقد را منع کند. اگرچه این تعارض کامل نیست لیکن آن باقیمانده نوعاً و عرفاً مؤثر نمی‌باشد، لذا در این مورد نیز تعارض موجب تساقط می‌شود.
لهذا اگر شرط مندرج برخلاف بعضی از آثار مقتضای عقد باشد، ولی عمده آثار آن را منع نکند اگرچه تعارض حادث است، لیکن تعارض ایجاد شده را نمی‌توان مستلزم تساقط دانست.
یکی از دلایلی که پیروان نظریه فساد ارائه داده‌اند . تعارض چنین شرطی با مقتضای عقد اجاره است و آنهایی که شرط ضمان مستأجر را مخالف با مقتضای عقد اجاره می‌دانند، معتقدند که عقد اجاره دلالت بر تسلط مستأجر بر عین مستأجره دارد، و لازمه این تسلط نیز امین بودن مستأجر در عین مستأجره است، زیرا اگر مفهوم و مدلول عقد اجاره را تملیک منفعت به مستأجر بدانیم، این تملیک موجب تسلیط وی بر مورد اجاره است و لذا امین بودن مستأجر در مورد اجاره از تسلط او بر عین مستاجره به دلالت التزامی مشهود است و بنابراین شرط ضمان مستأجر با مدلول التزامی عقد متعارض است و همانطور که می‌دانیم تعارض مدلول عقد و شرط موجب تزلزل ارکان معامله شده و موجب فساد عقد و شرط می‌شود.
2 ـ شرط ضمان مستأجر برخلاف مشروع است: اما یکی از دلایل دیگری که پیروان نظریه فساد بیان نموده‌اند، نامشروع بودن شرط ضمان است . همانطور که می‌دانیم مستنداً به ماده 233 ق.م شرطی که نامشروع باشد باطل است. لیکن بطلان آن از آنجایی که موجب تزلزل ارکان معامله نمی‌گردد، مفسد عقد نیست.
اقتضای اصل حاکمیت اراده این است که آنچه مورد توافق و تراضی طرفین واقع می‌شود و قصد مشترک طرفین حکایت از لزوم آن می‌کند، الزام‌آور برشمرده شود. لیکن بر این اصل استثنائاتی وارد است و اجلی استثنا آن نامشروع بودن عقد است.
شروط ضمن عقد را نیز که به نوعی عقدی تبعی محسوب می‌شوند از این قاعده کلی مستثنی نمی‌باشد، لذا حکم شرط نامشروع نیز بطلان آن شرط است.
آنهایی که شرط ضمان مستأجر را نامشروع می‌دانند به احادیثی دال بر عدم ضمان امین استناد می‌کنند و از آنجا که فتاوی فقها حکایت از امین بودن مستأجر در عین مستأجره دارد، شرط ضمان مستأجر را که ید او نسبت به عین مستأجره امانی است، نامشروع دانسته و باطل می‌دانند. شیخ انصاری در رابطه با «شرط نامشروع» می‌فرماید:

«تعلق احکام شرع به موضوعاتشان بر دو گونه است گاهی حکم به موضوعی با قطع نظر از عوارضی که ممکن است بر آن وارد شود تعلق گرفته است و به تعبیر دیگر اطلاق در مورد وضع حکم لحاظ نشده است که در اصطلاح فقهی به چنین حکمی حکم ذاتی می‌گویند. و اینگونه موارد عروض حکم دیگری بر آن موضوع به لحاظ عروض عنوانی دیگر بر آن منافی با حکم ذاتی آن موضوع محسوب نمی‌گردد و گاهی حکم شرع با توجه به تمام عوارضی که ممکن است برموضوع وارد شود تعلق گرفته است، مگر در موارد اضطرار و حرج و... که در چنین وضعی عروض حکم دیگری بر آن موضوع به ناچار با آن حکم شرعی منافی خواهد بود .
پس با تحلیل فوق بین موضوعاتی که متعلق احکام شرعی واقع می‌شوند باید در دو مورد قائل به تمایز شد:
اولاً ) احکامی که حکم مقرر در آن باب، مقتضی الزام آن بوده است (خواه وجوب و خواه حرمت) مانند حرمت شراب و یا وجوب خمس. مسلماً شرط خلاف چنین احکامی که شارع نظر به الزام آنها داشته است صحیح نبوده و حکم چنین شرطی را بطلان آن شرط می‌دانیم.
ثانیاً ) احکامی که حکم مقرر در آن موضوع مقتضی الزام آن نبوده است و شارع نظر به الزام آن اثباتاً یا نفیاًَ نداشته است، لذا شرط خلاف این احکام را نمی‌توان باطل دانست زیرا اگرچه شارع به ظاهر حکم بر الزام آن مقرر داشته است، لیکن وضع آن حکم از باب الزام نبوده است و این مورد همانند مورد اول قدرت حکومت بر اصل حاکمیت اراده را نخواهد داشت. از آنجا که مهمترین ادله پیروان نظریه فساد خارج از موضوعات مذکور نمی‌باشد، لذا آنهایی که به صحت چنین شرطی نظر دارند به ادله مزبور اینچنین پاسخ می‌دهند:
اولاً ) شرط ضمان مستأجر را نمی‌توان مخالف مقتضای عقد اجاره دانست و شرط ضمان مستأجر هیچ‌گونه منافاتی با مقتضای عقد اجاره ندارد، زیرا مقتضای عقد اجاره را نمی‌توان عدم ضمان مستأجر دانست، بلکه قدر متیقن این است که عقد اجاره مقتضی ضمان مستأجر نمی‌باشد.
پس نمی‌توان مقتضای عقد اجاره را امین بودن مستأجر دانست، زیرا اگر به خاطر بیاورید علت امین بودن مستأجر را نسبت به عین مستأجره به واسطه تسلیط وی بر مورد اجاره دانستیم، لزوم این تسلیط نیز به دلیل حصول تدریجی منفعت از عین مستأجره است.
ضعف این استدلال در جایی آشکار می‌گردد که دریابیم اساساً در همه اقسام اجاره، تصرف مورد اجاره برای استیفای منفعت ضرورتی ندارد. مثال بارز این ادعا نیز در اجاره حیوان برای حمل بار متصور است که معمولاً مالک حیوان مسئولیت حمل آن را برعهده می‌گیرد.
علاوه بر پاسخ مزبور ذکر این نکته نیز ضروری است که در فرض اینکه امین بودن مستأجر را مقتضای عقد اجاره بدانیم، اگرچه شرط ضمان مستأجر در این فرض با مقتضای عقد منافات دارد، لیکن این تعارض را نمی‌توان مسلتزم تساقط دانست زیرا همانطور که گفته شد، تعارضی موجب تساقط است که با علت تامه عقد متعارض باشد و یا به عبارت دیگر مانع تمامی یا عمده تصرفات مادی و حقوقی باشد.

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله  25  صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید