اینو دیدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

اینو دیدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق درباره کاربرد آب مغناطیسی در کشاورزی

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق درباره کاربرد آب مغناطیسی در کشاورزی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 8

 

کاربرد آب مغناطیسی در کشاورزی

با وجود آن‌که آبیاری سطحی به‌عنوان روش غالب در جهان محسوب می‌گردد، ولی به لحاظ نیاز به ارتقاء کالائی مصرف آب و افزایش روزافزون هزینه تأمین آب و نیز محدودیت منابع در دسترس، تمایل دولت‌ها به‌ویژه کشورهای توسعه‌یافته برای کاربرد آبیاری تحت‌فشار را افزایش داده است.

 

کلیات

در حال حاضر آب شیرین به‌عنوان یک کاای اقتصادی، نقش اساسی را در تولیدات کشاورزی، صنعتی و تأمین نیازهای بهداشتی و شرب در سطح جهان ایفاء می‌کند. در کشور ما در بخش کشاورزی به‌عنوان محور توسعه، سرمایه‌گذاری‌های متنابهی به‌کار گرفته شده تا تمامی پتانسیل منابع آب قابل استحصال کشور در چرخه تولید وارد شود و لذا در این راستا مدیریت مؤثر عرضه و تقاضا و مصرف آب برای افزایش بهره‌وری از این منابع قابل دسترس نقش کلیدی خواهد داشت.

بخش کشاورزی به لحاظ راندمان نازل آبیاری به تنهائی حدود ۹۰ درصد آب قابل استحصال در کشور را مصرف می‌کند و با توجه به نیاز شدید بخش صنعت به آب و راهکارهای انتخاب شده توسعه صنعتی و در جهت اشتغال‌زائی ضروری است به هر وسیله ممکن راندمان آبیاری افزایش یابد.

با وجود آن‌که آبیاری سطحی به‌عنوان روش غالب در جهان محسوب می‌گردد، ولی به لحاظ نیاز به ارتقاء کالائی مصرف آب و افزایش روزافزون هزینه تأمین آب و نیز محدودیت منابع در دسترس، تمایل دولت‌ها به‌ویژه کشورهای توسعه‌یافته برای کاربرد آبیاری تحت‌فشار را افزایش داده است. به این منظور اجراء سیستم‌های آبیاری کم‌فشار با لوله زیرزمینی و سیستم آبیاری کم‌فشار با لوله زیزمینی و سیستم آبیاری تحت‌فشار (قطره‌ای و بارانی) امکان حصول راندمان توزیع آب در سطح مزرعه تا حدود ۹۵ درصد را در شرایط اجراء خوب فراهم می‌آورد؛ ولی به دلیل ناخالصی‌های موجود در آب نظیر املاح کربناته، بی‌کربناته و نیز کلسیم، منیزیم، آهن، منگنز و ذرات معلق و بیولوژیک، لوله‌ها، نازل‌ها و طره چکان‌ها دچار رسوب و گرتگی شده و عمر مفیدشان به شدت کاهش می‌یابد.

در اینجا بی‌مناسبت ندیدیم به جهت پالایش آب آبیاری در کشاورزی پیرامون روش جدید پالایش الکترونیکی آب که جزء روش‌های فیزیکی تصفیه آب به‌شمار می‌رود توضیحاتی را متذکر شویم.

با مصرف آب پالایش شده محصول تا یک ماه زودرس شده و مصرف آب ۳۰٪ کاهش می‌یابد. با آبیاری مغناطیسی بدون اضافه کردن اسید، مواد شیمیائی و سمی به آب، حتی رسوبات بلی زایل شده و از تشکیل رسوب جدید پیشگیری می‌شود. همچنین به مرور خاک پوک و نرم شده و از ایجاد کلوخه ممانعت می‌شود و با فعال شدن املاح خاک مصرف کود نیز نصف خواهد شد.

آب آبیاری پاستوریزه شده از بیماری‌های گیاهی (قارچی،‌باکتریایی و ویروسی) پیشگیری کرد و سم کمتری نیاز خواهد بود. گیاه شاداب‌تر، سبزتر و سالم‌تر بوه و در مقابل پارازیت‌ها و آفات بهتر مقاومت خواهد کرد و با کاهش هزینه‌های تولید و افزایش عملکرد، سوددهی بیشتر می‌گردد.

● اثر مغناطیس بر روی آب

اثر مغناطیس روی آب به‌طور اتفاقی توسط دانشمندان روسی مشاهده شد. حرکت آب در داخل لوله‌ها باعث رسوب املاح روی جدار لوله‌ها گشته، ضمن کاهش سطح مقطع لوله‌ها و افزایش افت انرژی، عبور آب داخل لوله‌ها را مختل می‌کند. آنها دریافتند که آب مغناطیس شده جرم داخل لوله‌ها را پاک و از رسوب مجدد روی جدار لوله‌ها جلوگیری می‌کند.

بنابراین مشاهده شده که با اعمال انرژی مغناطیسی می‌توان آب ساده را به مایعی با اثرات شیمیائی خاص تبدیل کرد، به‌طوری که خواص فیزیکی آب مغناطیسی شده از جمله دما، وزن مخصوص، کشش سطحی، ویسکوزیته و قابلیت هدایت الکتریکی آن تغییر می‌یابد.

یکی از تغییراتی که در آب مغناطیسی ایجاد می‌شود نحوه آرایش بارهای الکتریکی مولکول‌های آب می‌باشد. از آنجا که به‌طور طبیعی بین نیروهای خالص مولکول‌های آب اختلاف کمی وجود دارد، مولکول‌های آب اختلاف کمی وجود دارد، مولکول‌های آب به‌صورت کاملاً ‌تصادفی قرار دارند. در آب‌های موجود و در دمای محیط، بیش از ۷۰ درصد مولکول‌های آب به‌صورت نامنظم قرار گرفته و بارهای مثبت و منفی آن‌ها در جایگاه طبیعی خود قرار ندارند. در صورتی‌که یک جسم دارای قدرت مغناطیسی با یکی از قطب‌هایش، مثلاً قطب جنوب ( دارای بار مثبت) به آب نزدیک شود، مولکول‌های آب با قطب منطفی به منبع مغناطیس نزدیک‌تر و مولکلو‌های با بار مثبت از آن دور می‌شوند.

این روند باعث می‌شود تا مولکول‌های آب (شامل کاتیون‌ها و آنیون‌ها) از حالت بی‌نظمی به‌صورت مرتب درآمده و نوع پیوند اکسیژن ـ هیدروژن از حالت مثلثی به شکل یک خط تغییر کند. در این شرایط هیدروژن‌های مثبت دارای نیروی بیشتری شده و در نهایت نیروی منفی خالص مولکول آب به نیروی مثبت خالص آب مغناطیسی تبدیل می‌شود، در نتیجه بار الکترونیکی مولکول‌های آب در این شرایط نسبت به آب معمولی متفاوت خواهد بود و ضمن تشکیل مولکول‌های کوچک‌تر از آب، باعث افزایش تعداد مولکول‌های آب در واحد حجم و همچنین افزایش قدرت حلالیت آب می‌گردد. اصطلاحاً مولکول آب معمولی چپ گرد بوده و به راست‌گرد مبدل می‌شود.

با یک مثال ساده می‌توان اثر مغناطیس در آب را شرح داد. همان‌طور که بیان شد آب معمولی دارای نیروی خالص منفی است. فرض کنیم این نیرو معادل ۳۰۰ میلی‌ ولت (mv) باشد, در مقابل یک لوله آهنی از نظر الکتریکی خنثی (صفر میلی ولت) است و در اثر این اختلاف پتانسیل (۳۰۰> ۰)، آهن بر مواد معدنی در آب موثر واقع می شود و این عمل منجر به رسوب و جرم مواد در داخل لوله و یا حتی بر روی ذرات کلوئیدی خاک می گردد و اگر در این مثال کلسیم و منیزیم به ترتیب دارای پتانسیل خالص ۳۵۰ - و ۴۰۰ - میلی ولت باشند، در نتیجه می توان نوشت ۴۰۰ - <۳۵۰ - > ۳۰۰ - > ۰ در این شرایط با ایجاد میدان مغناطیسی با قطب مثبت آن و انرژی در حدود ۳۱۰+ میل ولت معادله بالا به‌صورت زیر نوشته خواهد شد.

Mv۱۰ + = (با ایجاد مغنایس) mv۳۱۰ +mv۳۰۰ = ۲۵H

Mv۹۰ = ۳۱۰+mv۴۰=Mg mv۴۰= mv۳۱۰ + mv۳۵۰- =c


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره کاربرد آب مغناطیسی در کشاورزی

تحقیق درباره سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق درباره سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 66

 

فصل اول : سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی

مقدمه 1

سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی 3

منابع تداخلی طبیعی و منابع تداخلی ساخت بشر 4

منابع تداخلی پیوسته و گذرا 8

تداخل درون سیستم و تداخل بین سیستمها 9

منابع تداخل هدایتی و تشعشعی 11

فصل دوم :

مقدمه 14

تشعشع مود تفاضلی 14

کنترل تشعشع مود – تفاضلی 21

تشعشع مود – مشترک 23

کنترل تشعشع مود – مشترک 26

تولید کلاک طیف گسترده 27

ضرورت استفاده از کلاک طیف گسترده 28

مدولاسیون فرکانس روی کلاک سیستم 29

فصل سوم : شیلدینگ

مقدمه 33

شیلدینگ خازنی 33

شیلدینگ القایی 36

کابل کواکسیال 37

جفت سیم به هم تابیده 39

کابل روبان 40

شیلدینگ RF 41

فصل چهارم : زمین

مقدمه 46

نویز زمین 47

انتخاب زمین 49

زمین اطمینان 50

زمین سیگنال 51

زمین عملی 54

کابل بافته شده 56

ملاحظات انتخاب زمین 57

فصل پنجم : دی کوپلینگ

بی ثباتی تغذیه 59

خازن دی کوپلینگ 61

نوع خازن دی کوئپلینگ و مقدار آن 63

تثبیت ولتاژ روی برد 65

دی کوپلینگ باس تغذیه بر روی بردهای چند لایه 66

مقدمه :

تصوری که بیشتر افراد از سیستم های دیجیتالی دارند این است که این سیستمها در برابر نویز مصونیت ایده آل دارند .

گرچه این نوع از سیستمها به خاطر حاشیه نویز ، در مقایسه با مدارهای آنالوگ حساسیت کمتری نسبت به نویز دارند ، با این حال اثرات نویز الکتریکی را نمی توان نادیده گرفت .

پرشهای خطوط سیگنال ، اتصالات زمین ، سوئیچهای تغذیه ، موتورها ، لامپهای فلورسنت و … سبب آشفتگی در کار مدارهای دیجیتالی می شوند . در فاز طراحی سیستمهای دیجیتالی با مسایل مربوط به نویز مواجه نمی شویم . پس از اینکه سیستم در محیط کار قرار گرفت اصرات نویز نمود پیدا می کند که در آن موقع تغییر و اصلاح طرح سخت افزار پر هزینه است .0000 000

هدف از ارائه این سمینار برررسی بعضی از نویزهای الکتریکی و محیطهای نویزی می باشد . پس از آن راه حلهای مناسبی برای جلوگیری از ایجاد نویز توسط مدارهای دیجیتالی و همچنین کاهش اثرپذیری نویزی پیشنهاد می شود .

ترتیب مباحث این گزارش بدین صورت است که : در فصل اول مفاهیم سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی توضیح داده می شود . فصل دوم اختصاص به تشعشع در مدارهای دیجیتالی و راههای کنترل آن دارد . فصل سوم شیلدینگ ، فصل چهارم مربوط به نویز زمین و روشهای حذف آن بحث می شود. در فصل پنچم دی کوپلینگ توضیح داده می شود . امیدوارم که این گزارش مورد استفاده دانشجویان محترم و سایر علاقمندان قرار بگیرد .

سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی :

مقدمه :

هر دستگاه الکتریکی یا الکترونیکی که موجب تغییر ولتاژ یا جریان شود یک منبع تداخل الکترومعناطیسی محسوب می شود .

تداخل از دو راه به مدار اعمال می شود ، هدایت از طریق کابل و تشعشع الکترومعناطیسی . در این فصل منابع EMI و مفاهیم تکنیکی سازگاری الکترومعناطیسی مورد بحث قرار می گیرد .

2-1 سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی :


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی

پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی

اختصاصی از اینو دیدی پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی


پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی

 

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

 

تعداد اسلاید : 13 صفحه

Lecture 4A Secondary Storage Device:Magnetic Tape (sections 3.2 – 3.3) یک حافظه ثانوی: باند مغناطیسی(Magnetic Tape) باند مغناطیسی (Magnetic Tape)چیست؟
خواص باند مغناطیسی خواص باند مغناطیسی چیست؟
امکان دسترسی مستقیم (direct access) به رکوردها را نمی دهد! (چرا؟
) ولی امکان دسترسی سری (sequential access) را با سرعت بالا دارد. در مقابل شرایط مختلف محیطی (environment) پایداری خوبی دارد. براحتی حمل و نگهداری می شود .
از دیسکهای سخت ارزانتر است. در گذشته برای نگهداری فایلهای بزرگ (بجای دیسکهای سخت) استفاده می شد.
(چرا؟
) ولی اکنون فقط برای آرشیو داده ها (backup) استفاده میشود.
(چرا؟
) ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
باند مغناطیسی 9 شیاری (Nine-Track Tapes) چیست؟
ساختار باند مغناطیسی باند مغناطیسی 9 شیاری (Nine-Track Tapes) چیست؟
داده ها روی 9 شیار موازی به صورت دنباله ای از بیت ها (bits) ثبت میشوند. بنابراین هر مقطع از باند (Frame) شامل 9 بیت و معادل یک بایت داده میباشد. در هر 9 بیت ، هشت بیت برای داده ها و یک بیت برای کنترل صحت (Parity) داده ها وجود دارد.
(چگونه؟
) ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
مکان منطقی (Logical Position) یک بایت همان مکان فیزیکی آن میباشد. یعنی رکوردها به طور مرتب پشت سرهم قرار دارند.
(Sequential Access) File Structure Dr.
M.
Rahgozar ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
در فاصله بین بلوک داده ها فضای استفاده نشده ای به نام Gap وجود دارد که در آن تمام بیتها صفر می باشند در گذشته نوع رایج باندها حاوی 6250 بایت دراینچ (bpi) بوده است. انواع جدیدتر باندها 30,000 bpi یا بیشتر میباشند File Structure Dr.
M.
Rahgozar ظرفیت باند مغناطیسی تخمین طول باند مورد نیاز چگونه است؟
راندمان استفاده از باند به چه عواملی بستگی دارد؟
فشردگی داده های باند (Tape density) مثال 6250 bpi : سرعت حرکت باند (Tape Speed) مثال 200 ips : فاصله بین بلوکهای داده (inter block gap) مثال 0.3 inch : File Structure Dr.
M.
Rahgozar ظرفیت باند مغناطیسی تخمین طول باند مورد نیاز چگونه است؟
مثال: فایلی با مشخصات 1,000,000 رکورد 100 بایتی را در نظر میگیریم . طول باند مورد نیاز را با فشردگی bpi 6250 برای دو حالت مختلف حساب میکنیم. حالت اول :فاکتور بلوک (blocking factor) برابر با یک : طول مورد نیاز =تعداد بلوک ها ) * طول هر بلوک + فاصله بین بلوکها ( طول مورد نیاز 316.000=1,000,000*(100/6250+0.3)=اینچ یعنی بیش از 10 کارتریج 2400 فوتی (Cartridge) درگذشته رایجترین طول کارتریجها 2400 فوت بوده است.
اکنون کارتریجهای معمول با طول 3600 فوت یا بیشترمیباشند.
(ظرفیت؟
) File Structure Dr.
M.
  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه بانک پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 



دانلود فایل  پرداخت آنلاین 


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی

تحقیق کارآفرینی تسمه مغناطیسی 27 ص

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق کارآفرینی تسمه مغناطیسی 27 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 27

 

فهرست مطالب

عنوان صفحه

خلاصه طرح

مطالعات اقتصدی

2-1. تعریف محصول

2-2. موارد مصرف و کاربرد

2-3. کالاهای رقیب یا جانشین

2-4. قیمت فروش محصول تولیدی

3. بررسی های فنی

3-1. بررسی تکنولوژی های مختلف

3-2. بررسی روشهای مختلف تولید محصول

3-3. بررسی شیوه های کنترل تولید محصول

3-4. مشخصات مواد اولیه

3-5. مشخصات ماشین آلات و تجهیزات خط تولید و ...

3-6. نقشه استقرار ماشین آلات در خط تولید

3-7. مشخصات ماشین آلات و تجهیزات حمل و نقل در ارتباط با تولید

3-8. برآورد زیربنا و زمین مورد نیاز

3-9. محاسبه میزان برق و آب و سوخت

3-10. نیروی انسانی مورد نیاز 3-11. پلان کلی کارخانه

3-12. نمودار گردش مواد

4. بررسی های مالی

4-1. برآورد سرمایه ثابت

4-2. برآورد سرمایه در گردش

4-3. برآورد کل سرمایه مورد نیاز

4-4. نحوة تأمین مالی

4-5. محاسبه هزینه استهلاک

4-6. محاسبه هزینه های نگهداری و تعمیرات

4-7. محاسبه قیمت تمام شده و قیمت فروش

4-8. توجیه اقتصادی و مالی طرح

4-8-1. مقایسه قیمت فروش محصول و قیمت عمده فروشی در بازار

4-8-2. نقطة سر بسر طرح

4-8-3. نرخ بازگشت سرمایه

4-8-4. زمان برگشت سرمایه

4-8-5. سود بعد از کسر مالیات

4-8-6. درصد مواد اولیه خارجی طرح

4-8-7 . ارزش افزوده طرح

4-8-8 . صرفه جوئی ارزی طرح

4-8-9 . سرمایه ثابت سرانه طرح

1- خلاصه طرح :

عنوان محصول

: ته مغناطیسی دائمی

ظرفیت سالیانه

: یکصد تن

تعداد روز کار

: 270

تعداد شیفت

: 2 شیفت

مساحت زمین

: 594 متر مربع

سطح زیر بنا

: 199 متر مربع

سرمایه ثابت

: 5/330 میلیون ریال

سرمایه کل

3/370 میلیون ریال

تعداد کارکنان

: 20 نفر

فروش کل محصول

: 500 میلیون ریال

سود ویژه

: 3/110 میلیون ریال

ارزش افزوده

4/390 میلیون ریال

سرمایه گذاری سرانه

: 6/10 میلیون ریال

ظرفیت در نقطه سر به سر

: 70 تن

نرخ بازده سرمایه

: 33%

صرفه جوئی ارزی سالیانه

: 1.300.000دلار

درصد صرفه جوئی ارزی

: 30%


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق کارآفرینی تسمه مغناطیسی 27 ص

تحقیق درمورد ممان مغناطیسی چیست

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق درمورد ممان مغناطیسی چیست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش ) 


قسمتی از محتوی متن ...

 

تعداد صفحات : 19 صفحه

محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T Application of canonical distribution in (Nuclear Magnetism) ماده را در نظر می گیریم که دارای N0 هسته در واحد حجم باشد.
و در یک میدان مغناطیسی H قرار گرفته باشد. هر هسته دارای اسپین و ممان مغناطیسی است. ممان متوسط مغناطیسی ماده (در جهت H) در درجه حرارت T چقدر است؟
فرض می کنیم که هر هسته دارای برهم کنش ضعیف با سایر هسته ها و سایر درجات آزادی است.
همچنین یک هسته را بعنوان سیستم کوچک در نظر می گیریم و بقیه هسته ها و سایر درجات آزادی را بعنوان منبع حرارتی می گیریم. هرهسته می‌تواند دارای دوحالت باشد+یا هم‌جهت بامیدان واقع در تراز انرژی پائین یا در خلاف جهت میدان واقع در تراز انرژی بالا (Cثابت تناسب است ) چون این حالت دارای انرژی متر است پس احتمال یافتن هسته در آن بیشتر است. از طرفی احتمال یافتن هسته در حالت تراز بالای انرژی برابر است با و چون این حالت دارای انرژی بیشتری است پس احتمال یافتن هسته در آن کمتر است.
(چون تعداد حالات بیشتر است با افزایشE، افزایش می یابد و ذره شکل پیدا می شد در حالت بخصوص) و چون احتمال یافتن هسته در حالت + بیشتر است پس ممان مغناطیسی هسته نیز باید در این جهت باشد. با توجه به دو رابطه های مقابل مهمترین متغیر در این دو رابطه که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد. که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد: واضح است که اگر نمای هر دو e یعنی احتمال اینکه هم جهت با H باشد برابر با احتمال اینکه در خلاف جهت H باشد. در اینصورت تقریباً کاملاً بطور نامنظم جهت گیری می کند بطوریکه: از طرف دیگر اگر اگر احتمال هم جهت بودن ؛ H بیشتر از خلاف جهت است تمام این نتایج کیفی را به نتایج کمی تبدیل می کنیم. بوسیله محاسبه واقعی متوسط Magnetization mean magnetization per unit nolume in the direction of H حالا چک کنیم که آیا استدلالهای کیفی قبلی را نمایان می کند؟
اگر اگر مستقل از H است که ثابت تناسب است X(chay)ij که به آن پذیرایی ماده مغناطیسی گفته می شود.
Magnetic Susceptibility of Substance X برحسب کمیات میکروسکوپیک و اینکه باد، رابطه عکس دارد به قانون کوری معروف است Curie’s Law از طرف دیگر مستقل از H است یا T اگر و مساوی با Mmax مغناطیسی شدن max of magnetization که ماده می تواند نمایش بدهد. بستگی کامل متوسط مغناطیسی شدن به دمای T و میدان مغناطیسی H در شکل زیر نشان داده شده است. منحنی زیر منحنی tanhy است که اگر y با نسبت کمتر از یک باشد آنگاه بستگی به مقدار H افزایش می یابد و اگر باشد این نسبت 0.63 است و اگر بیشتر از یک باشد آنگاه مغناطیس شدن به حالت اشباع و ماکزیمم خود می‌رسد. متوسط مغناطیس شدن برای مشاهده رزونانس در یک ماکروسکپی سیستمی را در نظر می گیریم که هسته‌های آن دارای چون تعداد زیادی هسته در نمونه ماکروسکپی وجود دارند، تعداد هسته های در حالتهای ms برابر را با مشخص می کنیم. تعداد کل اسپینها یعنی N ثابت است ولی بکار بردن یک میدان متناوب تحریک باعث تغییر در N+ یا N- بخاطر انتقالهایی که صور

متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درمورد ممان مغناطیسی چیست