اینو دیدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

اینو دیدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق در مورد تیریستور

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق در مورد تیریستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد تیریستور


تحقیق در مورد تیریستور

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه22

فهرست مطالب

ت

 

1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )

 

 

 

(الف) مدلهای دیودی تیریستور

 

(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور

 

1-2-مشخصات تیریستور

 

1-3-2-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به

 

کاتد مثبت)

 

1-2-1-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)

 

1-2-3-تیریستور بایاس مستقیم و هدایت

 

(الف) روشن کردن[1] توسط نور

 

 

 

(ب) روشن کردن توسط علائم الکتریکی اعمال شده به دریچه :

 

 

 

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت[2] است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت[3] (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

 

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی[4] به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن[5] هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

 

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند
بود.

 

جریان  ناشی از :

 

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

 

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال  

 

3-حفره های تزریق شده به اتصال  که از طریق ناحیه n اشاعه
می یابند اتصال  را قطع می کند .

 

4-حاملهای اقلیت از اتصال  که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال  عبور کرده است . عیناً  نیز از

 


[1]-Turn - on

[2] -Gate                                                                       2-signal

 

[4]-Built - in voltage                                          2-Retarding electric field

 

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد تیریستور