تقویت کننده

اختصاصی از اینو دیدی تقویت کننده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات17

یک آمپلی فایر قدرت (PA) منولیتیک Si برای سیستم ارتباطات شخصی (PCS)- CDMA قادر به ایجاد توان خروجی 28.2dBm با 30% بازده افزوده توان و 45dB نسبت توان کانال مجاور در 1.9GHz و 3.6V ولتاژ تغذیه برای اولین بار در این مقاله ارائه می شود. PA بکار گرفته شده در یک فرایند 30GHz-Bicmos از یک شمای بایاس قابل کنترل با امپدانس به منظور کنترل کلاس کاری و مقاومت بایاس طبقه خروجی استفاده می کند. برای مقایسه هر دو نتایج و داده های شبیه سازی شده و اندازه گیری شده نشان داده شده اند.
عبارات متن: مدارات مجتمع آنالوگ BiCMOS- دستیابی چندگانه تقسیم کد، آمپلی فایرهای قدرت، آمپلی فایرهای فرکانس رادیویی.

1- مقدمه
تقویت کننده های قدرت رادیویی (RF) منولیتیکی (PAS) برای کاربرد در گوشی موبایل از لحاظ نسبتی در قلمرو تکنولوژیهای GaAs بودند. کوششهائی برای طراحی PAS غیرخطی در هر دو باند فرکانس سلولی (900MHz) و باند فرکانس سیستم ارتباطات شخصی (1.96GHz) با استفاده از تکنولوژیهای Si صورت گرفته است. اخیراً PAS فرکانس زیاد خطی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای دو قطبی اتصال ناهمگن (HCBT) Sge در بالای دو باند بالا شرح داده شده اند.
PA برای کاربردهای دسترسی چندگانه تقسیم کننده کد (CDMA) در باند پایین باید بتواند 28dBm قدرت (توان) خروجی با PAE 30% (بازده افزوده توان) و 44.1dBc نسبت توان کانال مجاور (ACPR) ایجاد کننده در حالیکه CDMA AP در باند بالایی می تواند 30dBm قدرت (توان) خروجی با 41F% PAE و 46dBc- ACPR ایجاد کنند.
بهرحال مورد اخیر هنوز یک راه حل ترکیبی است. بهره RFAS منولیتیک Si از لحاظ هزینه پایین مجتمع سازی با سایر مدارات وسیع و اصلی بر پایه Si دارای مزایائی است. تابحال هیچ گونه Si PCS-CDMA PA منولیتیکی گزارش نشده است.
شمای هدولاسیون سیستم CDMA نیازمند است که PA استفاده شده در گوشی بصورت زیادی خطی باشد و بنابراین طراحی یک PCS-CDMA PA منولیتیکی با کارآئی (بازده) زیاد است.

تحقیق درمورد تقویت کننده توان

اختصاصی از اینو دیدی تحقیق درمورد تقویت کننده توان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:30

فهرست مطالب:

کاربرد تقویت کننده توان در مدلسازی

دید کلی

مدلهای مداری تقویت کننده

آشنایی با تقویت کننده های عملیاتی (Opamp)

اتصالات تغذیه تقویت کننده های عملیاتی

 تقویت کننده توان برای کاربرد های UWB

جامع و موج کامل تقویت کننده توان موج میلی متری با استفاده از شبکه¬های عصبی

تقویت‌کننده‌ی قدرت کلاس c

کاربرد تقویت کننده توان در مدلسازی

مدلسازی جامع روش نوینی است که انتشار و ترویج امواج و میدانهای الکترومغناطیسی را در سراسر مدار حتی در ساختار قطعه نیمه هادی هم در نظر می گیرد. اما ما این تحلیل را محدود به قسمتهای پسیو مدار می کنیم. در واقع قسمتهای پسیو مدار را با روش موج کامل حل می کنیم و نتایج حاصل از این تحلیل را به کمیتهای مداری تبدیل می کنیم تا کل مدار به روش مداری حل شود. با این تکنیک علاوه بر اینکه به اندازه کافی مناسبی اثرات فرکانس بالای مدار در نظر گرفته می شود اجرای تحلیل ساده تر و سریعتر خواهد شد. مداری که ما برای این کار انتخاب کرده ایم. یک تقویت کننده توان است که جزء اصلی هر فرستنده مایکروویوی است. چون تقویت کننده های توان دارای اثرات غیرخطی هستند لذا روش مداری که برای تحلیل آن باید به کار برده شود. باید غیرخطی باشد با توجه به روشهای موجود بهترین روش برای تحلیل مدارهای فرکانس بالا روش توازن هارمونیکی است که ما هم از این روش استفاده کرده ایم. ابتدا یک تقویت کننده توان طراحی شد. به منظور داشتن حداکثر توان در خروجی و حداکثر خطی بودن این تقویت کننده در کلاس A بایاس شد. برای مدل کردن ترانزیستور مورد استفاده از مدل تجربی Curtice 3 استفاده شده است. تقویت کننده طراحی شده با دو نرم افزار ADS2002 و Microwave Office2002 شبیه سازی شد تا صحت عملکرد آن ثابت شود. چون در ادامه پروژه لازم خواهد شد نتایج حاصل از تحلیل میدانی و مدلسازی عصبی را در برنامه توازن هارمونیکی قرار دهیم لذا داشتن این برنامه ضروری است. بدین خاطر با نرم افزار متلب برنامه ای بر مبنای الگوریتم توازن هارمونیکی نوشته شد همچنین برنامه دیگری هم براساس الگوریتم FDTD نوشته شد تا شبکه های تطبیق تقویت کننده به صورت میدانی حل شوند و پارامترهای پراکندگی آن به دست آیند. این اطلاعات در کد توازن هارمونیکی نوشته شده برای تهیه ماتریس ادمیتانس بخش خطی مدار استفاده می شود تا بدین ترتیب کل مدار تحلیل گردد. از کارهای دیگر انجام شده در این پروژه نشان داد قابلیت شبکه های عصبی در مدل کردن قطعات فعال مایکروویو است. بدین منظور برای ترانزیستور مورد استفاده یک مدل عصبی ایجاد شد که از اطلاعات مدل Curtice3 آموزش یافته است. توانایی این مدل عصبی با به کارگیری آن در برنامه توازن هارمونیکی نوشته شده نشان داده شده است.