شبیه سازی CNTFET با استفاده از نرم افزار HSPICE و ساخت یک گیت NOT با استفاده از آن
شامل فایل کامل شبیه سازی، مقالات مورد استفاده جهت مدل کردن cntfet و گزارش کار کامل در قالب word
هدف از انجام این پروژه شبیه سازی یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) و بدست آوردن پارامترهای مطلوب برای آن و در نهایت استفاده از آن در یک مدار ساده گیت وارونگر (Not Gate) می باشد. در ابتدا قصد داریم تحلیل DC را برای هر دو نوع ترانزیستور (nFET و pFET) انجام داده و منحنی جریان درین بر حسب ولتاژ گیت سورس را بدست آوریم. در نهایت این دو ترانزیستور را به صورت مناسب به یکدیگر متصل نموده و تشکیل یک گیت وارونگر داده و با اعمال ورودی پالس مناسب، خروجی گیت را مشاهده خواهیم نمود.
برای شبیه سازی خود ترانزیستور از مدل ارائه شده در مقالات آقای دنگ و همکارش که در سال 2007 برای شبیه سازی این ترانزیستور با spice ارائه شده است بهره میجوئیم.
در اولین بخش به شبیه سازی خود ترانزیستورها پرداخته و تحلیل DC را برای آنها انجام می دهیم. شبیه سازی در دمای 27 درجه انجام شده و از منبع تغذیه 0.9 ولت برای بایاس مدار استفاده نمودیم.
برای تحلیل DC از دستور .dc استفاده نموده و مقدار Vgs را از صفر تا 0.9 ولت و با گام های 1 درصدی تغییر می دهیم. مقدار Vds را نیز از صفر تا 0.9 ولت و با گام های 10 درصدی تغییر می دهیم تا در حقیقت به ازای 10 مقدار مختلف Vds نمودار جریان ترانزیستور ترسیم گردد. شبیه سازی برای هر یک از ترانزیستورهای نوع n و p به تفکیک انجام شده و در فایل های جداگانه ضمیمه شده است.
برای دانلود رایگان نتایج پروژه کلیک نمایید
شبیه سازی CNTFET با استفاده از نرم افزار HSPICE
