لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه:10
فهرست و توضیحات:
اصول دیود PIN
دیود PIN در بایاس مستقیم
دیود PIN در بایاس معکوس
برای نمونه، فرکانس آسایش دی الکتریک زیر 20MHz رخ می دهد و خازن بسته ای کل CT در اکثر دیودها در بایاس صفر در 100MHz مشخص می شود. اطلاعات بیشتر در فرم منحنی های مرسوم بدست می آیند که تغییرات خازنی را به عنوان تابعی از بایاس معکوس در فرکانسهای پائین نشان می دهند.
در فرکانسهای بسیار پائینتر از fT، مشخصه ی خازنی دیود PIN با یک دیود ورکتور همانندی می کند. بدلیل محدودیت فرکانسی در تجهیزات تست مرسوم، اندازه گیریهای خازنی اغلب در 1MHz بدست می آیند. در این فرکانس خازن کل CT با اعمال یک ولتاژ بایاس کافی که ناحیه-I را به طور کامل از حامل ها تخلیه می کند مشخص خواهد شد. در کنار خازن دیود یک مقاومت موازی RP نیز وجود دارد که بیان کننده تلفات و پراکندگی های خالص در دیود بایاس معکوس است. در ولتاژهای معکوس پائین، مقاومت محدود ناحیه-I باعث ایجاد یک خازن با تلفات در ناحیه-I است. همین طور که ولتاژ بایاس افزایش می یابد حامل های بیشتری از ناحیه-I تخلیه شده و موجبات ایجاد یک خازن سیلیکونی بی تلف را فراهم می کنند. مقاومت موازی بایاس معکوس RP، توسط هر مقاومت سری با نیمه هادی یا اتصال دیود نیز تحت تأثیر قرار می گیرد.
تحقیق درباره اصول دیود PIN
