فایل ترمیم سریال لنوو A319

اختصاصی از اینو دیدی فایل ترمیم سریال لنوو A319 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل بکاپ nvram برای ترمیم سریال لنوو A319

cpu:MT6572

سالم و تست شده همراه با آموزش تصویری فلش

مخصوص فلش تول

در صورت نیاز به باهنمایی با آیدی و کانال تلگرام زیر در ارتباط باشید

آیدی تلگرام ادمین

کانال تلگرام سایت

فایل فلش فارسی سامسونگ A7108

اختصاصی از اینو دیدی فایل فلش فارسی سامسونگ A7108 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل فلش نایاب فارسی سامسونگ َ7108

اندروید 5.1.1

رایت با اودین

آموزش حل تمامی ارور های sp flash tools مخصوص cpu mtk

اختصاصی از اینو دیدی آموزش حل تمامی ارور های sp flash tools مخصوص cpu mtk دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع:

آموزش حل تمامی ارور های sp flash tools مخصوص cpu mtk

فایل فلش فارسی گوشی j1 sm-j100ml با اندروید 4.4.4

اختصاصی از اینو دیدی فایل فلش فارسی گوشی j1 sm-j100ml با اندروید 4.4.4 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

با سلام خدمت دوستان عزیز

اینجا ما براتون فایل فلش فارسی sm-j100ml رو برای شما دوستان اماده کردیم با ورژن اندروید 4.4.4

قابل فلش با odin

بعد از خرید لینک مستقیم برای شما نشان داده خواهد شد.

مقاله در مورد «تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

اختصاصی از اینو دیدی مقاله در مورد «تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM» دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:13

 فهرست مطالب

• معرفی:
• سلول EEPROM :
• ساختار سلولی:

2-3 طرح شماتیک آرایه سلولی:

• مکانیزمهای انتقال بار:

1-4- پاک کردن:‌

2-4- اختلال در عملیات پاک کردن:‌

3-4- برنامه ریزی:

4-4- اختلال در برنامه ریزی:

«تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

• معرفی:

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک 2 ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.

• تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:
• سلول EEPROM :

این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه 5 یا 3 ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.